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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

Nom De La Marque:	Micron
Numéro De Modèle:	MT41K256M16TW-107:P
Quantité Minimale De Commande:	500 pièces
Détails De L'emballage:	500pcs/reel
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

Nom du produit:

Micron

modèle:

MT41K256M16TW-107:P

Largeur du bus de données:

16 bits

Fréquence d'horloge maximale:

933 mégahertz

Tension d'alimentation:

1,283 V-1,45 V

Température de fonctionnement:

0 °C~+ 95 °C

Taper:

CMS/CMS

Capacité d'approvisionnement:

10000

Mettre en évidence:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micron Chips

8 Bank Micron Chips

Description du produit

Micron chips MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Compatible, 8 banques, Multi-vitesse

Description

La DDR3L SDRAM (1,35V) est une version basse tension de la

DDR3 (1,5V) SDRAM. Reportez-vous à la fiche technique de la

DDR3 (1,5V) SDRAM (Révision de la puce : E) lorsque vous fonctionnez en

mode compatible 1,5V.

Caractéristiques

• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283–1,45V)

• Rétrocompatible avec VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V

– Prend en charge la rétrocompatibilité des appareils DDR3L dans les applications 1,5V

• Strobe de données différentiel bidirectionnel

• Architecture de prélecture de 8

n-bit • Entrées d'horloge différentielles (CK, CK#)

• 8 banques internes

• Terminaison nominale et dynamique sur puce (ODT)

pour les signaux de données, de strobe et de masque

• Latence programmable CAS (lecture) (CL)

• Latence additive CAS postée programmable (AL)

• Latence programmable CAS (écriture) (CWL)

• Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et découpage de rafale (BC) de 4

(via le jeu de registres de mode [MRS])

• BC4 ou BL8 sélectionnable à la volée (OTF)

• Mode d'auto-rafraîchissement

• T

C de 0°C à +95°C – Rafraîchissement de 64 ms, 8192 cycles à 0°C à +85°C

– 32 ms à +85°C à +95°C

• Température d'auto-rafraîchissement (SRT)

• Auto-rafraîchissement automatique (ASR)

• Mise à niveau de l'écriture

• Registre polyvalent

• Calibration du pilote de sortie

Options

Configuration

1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
Boîtier FBGA (sans plomb) – x4, x8
78 billes (8 mm x 10,5 mm) Rév. P — DA
Boîtier FBGA (sans plomb) – x16
96 billes (8 mm x 14 mm) Rév. P — TW
Timing – temps de cycle
938 ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1,07 ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1,25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Options spéciales
Produit à cycle de vie premium (PLP) — X
Température de fonctionnement
Commercial (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Aucun
Industriel (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Révision — P
Ce tableau présente les principaux paramètres de temporisation de la DDR3L SDRAM de Micron pour trois niveaux de vitesse : -093 (2133 MT/s, temporisation 14-14-14, 13,09 ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, temporisation 13-13-13, 13,91 ns tRCD/tRP/CL) et -125 (1600 MT/s, temporisation 11-11-11, 13,75 ns tRCD/tRP/CL). Il note également la rétrocompatibilité : -093 prend en charge 1866 MT/s (CL=13) et 1600 MT/s (CL=11), tandis que -107 prend en charge 1600 MT/s (CL=11).

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

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