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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron 칩 8-Bank 1.35V 저전압 SDRAM

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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron 칩 8-Bank 1.35V 저전압 SDRAM

브랜드 이름:	Micron
모델 번호:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	500PCS
포장 세부사항:	500 PC / 릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

MT41K256M16TW-107:P

데이터 버스 폭:

최대 클록 주파수:

933 마하즈

전원 전압:

1.283V~1.45V

작동 온도:

0°C~+ 95°C

SMD/SMT

공급 능력:

10000

강조하다:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micron 칩

8 Bank Micron 칩

제품 설명

Micron 칩 MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V 호환, 8뱅크, 멀티 스피드

설명

DDR3L SDRAM(1.35V)은 DDR3(1.5V) SDRAM의 저전압 버전입니다. 1.5V 호환 모드에서 실행 시 DDR3(1.5V) SDRAM (Die Rev.: E) 데이터 시트 사양을 참조하십시오.

1.5V 호환 모드.

기능

• V

= VDDQ = 1.5V ±0.075V 에 대한 역호환 – 1.5V 애플리케이션에서 DDR3L 장치의 역호환 지원 DD

= VDDQ = 1.5V ±0.075V 에 대한 역호환 – 1.5V 애플리케이션에서 DDR3L 장치의 역호환 지원 • 차동 양방향 데이터 스트로브

• 8

-비트 프리페치 아키텍처

• 차동 클럭 입력 (CK, CK#) • 8개의 내부 뱅크 • 데이터, 스트로브 및 마스크 신호를 위한 공칭 및 동적 온다이 종단 (ODT)

• 프로그래밍 가능한 CAS (읽기) 지연 (CL)

• 프로그래밍 가능한 포스트 CAS 추가 지연 (AL)

• 프로그래밍 가능한 CAS (쓰기) 지연 (CWL)

• 고정 버스트 길이 (BL) 8 및 버스트 찹 (BC) 4

(모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)

• 선택 가능한 BC4 또는 BL8 온더플라이 (OTF)

• 자체 새로고침 모드

• T

0°C ~ +95°C

– 0°C ~ +85°C 에서 64ms, 8192 사이클 새로고침

– +85°C ~ +95°C 에서 32ms• 자체 새로고침 온도 (SRT) • 자동 자체 새로고침 (ASR)

• 쓰기 레벨링

• 다목적 레지스터

• 출력 드라이버 보정

옵션

구성

1기가 x 4 — 1G4

512메가 x 8 — 512M8

256메가 x 16 — 256M16

FBGA 패키지 (무연) — x4, x8
78볼 (8mm x 10.5mm) 개정판 P — DA
FBGA 패키지 (무연) — x16
96볼 (8mm x 14mm) 개정판 P — TW
타이밍 — 사이클 시간
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
특수 옵션
프리미엄 라이프사이클 제품 (PLP) — X
작동 온도
상업용 (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — 없음
산업용 (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
개정판 — P
이 표는 세 가지 속도 등급: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 타이밍, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 타이밍, 13.91ns tRCD/tRP/CL), 및 -125 (1600 MT/s, 11-11-11 타이밍, 13.75ns tRCD/tRP/CL)에 걸친 Micron DDR3L SDRAM의 주요 타이밍 매개변수를 요약합니다. 또한 역호환성을 언급합니다: -093은 1866 MT/s (CL=13) 및 1600 MT/s (CL=11)를 지원하며, -107은 1600 MT/s (CL=11)를 지원합니다.

태그:

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