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マルチスピードDDR3L MT41K256M16TW-107:P Micronチップ 8バンク 1.35V 低電圧SDRAM

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マルチスピードDDR3L MT41K256M16TW-107:P Micronチップ 8バンク 1.35V 低電圧SDRAM

ブランド名:	Micron
モデル番号:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	500個
梱包の詳細:	500pcs/reel
支払い条件:	T/T

起源の場所:

MT41K256M16TW-107:P

データバス幅:

16ビット

最大クロック周波数:

933のMHz

電源電圧:

1.283V～1.45V

動作温度:

0℃～+95℃

SMD/SMT

供給の能力:

10000

ハイライト:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micronチップ

8バンク Micronチップ

製品説明

マイクロンチップ MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V 互換性,8バンク,マルチスピード

記述

DDR3L SDRAM (1.35V) は,低電圧バージョンの

DDR3 (1.5V) SDRAM.DDR3 (1.5V) SDRAMを参照してください

(Die Rev.: E) データシートの仕様

1.5V対応モード

特徴

• VDD= VDDQ=1.35V (1.283 〜1.45V)

• V にバックコンパクトDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V

DDR3Lデバイスをバックグラッドコムにサポートします

1.5Vのアプリケーションで耐える

• 2方向データストロブ

• 8n-ビットプリフェッチアーキテクチャ

• 差点時計入力 (CK,CK#)

• 8つの内部銀行

• 名義式および動的切断 (ODT)

データ,ストロブ,マスクの信号

プログラム可能なCAS (READ) レイテンシー (CL)

• プログラム可能な CAS 添加物遅延 (AL)

プログラム可能なCAS (WRITE) レイテンシー (CWL)

• 固定爆発長さ (BL) 8 と爆発切断 (BC) 4

(モード・レジスタセット [MRS]を介して)

選択可能なBC4またはBL8オン・ザ・フライ (OTF)

• 自動更新モード

• TC について0°Cから+95°C

0°C から +85°C の 8192 サイクルの更新

+85°Cから+95°Cで32ms

• 自動更新温度 (SRT)

• 自動更新 (ASR)

• 書き直し

• 多目的登録

• 出力ドライバーの校正

オプション

構成
1ギグ×4 1ギグ4
512 メガ × 8 512 メガ
256 メガ × 16 256 メガ
FBGAパッケージ (Pbフリー) x4, x8
78球 (8mm x 10.5mm) レヴ.
FBGAパッケージ (Pbフリー) x16
96ボール (8mm x 14mm) レヴ.
タイミングサイクル時間
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) 〜093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) 〜 -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) −125
特別オプション
プライムライフサイクルプロダクト (PLP) X
動作温度
商業用 (0°C ≤ TC ≤ +95°C) ゼロ
工業用 (°C ≤ TC ≤ +95°C)
修正 P

この表では,Micron DDR3L SDRAMのキータイムパラメータを3つの速度グレードで概要しています. -093 (2133 MT/s, 14-14-14タイムリング, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13タイムリング, 13.91ns tRCD/tRP/CL),および-1125 (1600 MT/s, 11-11-11 タイムリング, 13.75ns tRCD/tRP/CL).また,後方互換性も指摘している: -093 は 1866 MT/s (CL=13) と 1600 MT/s (CL=11) をサポートする一方で, -107 は 1600 MT/s (CL=11) をサポートする.

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