logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
ชิปไมครอน
Created with Pixso.

DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron ชิป 8 แบงค์ 1.35V แรงดันต่ำ SDRAM ความเร็วหลาย

DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron ชิป 8 แบงค์ 1.35V แรงดันต่ำ SDRAM ความเร็วหลาย

ชื่อแบรนด์: Micron
หมายเลขรุ่น: MT41K256M16TW-107:P
ขั้นต่ำ: 500ชิ้น
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 500 ชิ้น / รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
ชื่อสินค้า:
ไมครอน
แบบอย่าง:
MT41K256M16TW-107:P
ความกว้างบัสข้อมูล:
16 บิต
ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด:
933 เมกะเฮิรตซ์
แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ:
1.283 V-1.45 V
อุณหภูมิในการทำงาน:
0 °C~+ 95 °C
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
สามารถในการผลิต:
10,000
เน้น:

MT41K256M16TW-107:P

,

DDR3L SDRAM ชิป Micron

,

ชิป Micron 8 แบงค์

รายละเอียดสินค้า

Micron chips MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Compatible, 8-Bank, Multi-Speed

 

คำอธิบาย
DDR3L SDRAM (1.35V) เป็นเวอร์ชันแรงดันไฟฟ้าต่ำของ
DDR3 (1.5V) SDRAM โปรดดูเอกสารข้อมูล
(Die Rev.: E) สำหรับ DDR3 (1.5V) SDRAM เมื่อทำงานใน
โหมดที่เข้ากันได้กับ 1.5V
 
คุณสมบัติ
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• เข้ากันได้แบบย้อนหลังกับ VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– รองรับอุปกรณ์ DDR3L ให้เข้ากันได้แบบย้อนหลังในแอปพลิเคชัน 1.5V
• Strobe ข้อมูลแบบสองทิศทางแบบ Differential
• สถาปัตยกรรม prefetch แบบ 8
n-bit • อินพุตสัญญาณนาฬิกาแบบ Differential (CK, CK#)
• 8 ธนาคารภายใน
• การสิ้นสุดบนดาย (ODT) แบบ Nominal และ Dynamic
สำหรับสัญญาณข้อมูล, strobe, และ mask
• CAS (READ) latency ที่ตั้งโปรแกรมได้ (CL)
• Additive latency แบบ posted CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้ (AL)
• CAS (WRITE) latency ที่ตั้งโปรแกรมได้ (CWL)
• ความยาว burst คงที่ (BL) ของ 8 และ burst chop (BC) ของ 4
(ผ่านโหมดรีจิสเตอร์เซ็ต [MRS])
• เลือก BC4 หรือ BL8 แบบ on-the-fly (OTF)
• โหมด Self refresh
• T
C ตั้งแต่ 0°C ถึง +95°C – 64ms, 8192-cycle refresh ที่ 0°C ถึง +85°C
– 32ms ที่ +85°C ถึง +95°C
• อุณหภูมิ Self refresh (SRT)
• การรีเฟรชตัวเองอัตโนมัติ (ASR)
• การปรับระดับการเขียน
• รีจิสเตอร์อเนกประสงค์
• การปรับเทียบตัวขับเอาต์พุต
ตัวเลือก
 
การกำหนดค่า
1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
แพ็คเกจ FBGA (ปราศจากสารตะกั่ว) — x4, x8
78-ball (8 มม. x 10.5 มม.) Rev. P — DA
แพ็คเกจ FBGA (ปราศจากสารตะกั่ว) — x16
96-ball (8 มม. x 14 มม.) Rev. P — TW
เวลา — เวลาวงจร
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
ตัวเลือกพิเศษ
ผลิตภัณฑ์วงจรชีวิตระดับพรีเมียม (PLP) — X
อุณหภูมิการทำงาน
เชิงพาณิชย์ (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — ไม่มี
อุตสาหกรรม (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Revision — P 
ตารางนี้แสดงพารามิเตอร์เวลาที่สำคัญของ Micron DDR3L SDRAM ในสามเกรดความเร็ว: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 timing, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 timing, 13.91ns tRCD/tRP/CL), และ -125 (1600 MT/s, 11-11-11 timing, 13.75ns tRCD/tRP/CL) นอกจากนี้ยังระบุความเข้ากันได้แบบย้อนหลัง: -093 รองรับ 1866 MT/s (CL=13) และ 1600 MT/s (CL=11) ในขณะที่ -107 รองรับ 1600 MT/s (CL=11)
 
DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron ชิป 8 แบงค์ 1.35V แรงดันต่ำ SDRAM ความเร็วหลาย
DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron ชิป 8 แบงค์ 1.35V แรงดันต่ำ SDRAM ความเร็วหลาย