logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chipy mikronowe
Created with Pixso.

Wieloprędkość DDR3L MT41K256M16TW-107:P Mikron Chips 8-Bank 1.35V Nisko napięcie SDRAM

Wieloprędkość DDR3L MT41K256M16TW-107:P Mikron Chips 8-Bank 1.35V Nisko napięcie SDRAM

Nazwa marki: Micron
Numer modelu: MT41K256M16TW-107:P
MOQ: 500szt
Szczegóły opakowania: 500 sztuk/rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Nazwa produktu:
Mikron
model:
MT41K256M16TW-107:P
Szerokość magistrali danych:
16-bitowy
Maksymalna częstotliwość zegara:
933MHz
Napięcie zasilania:
1,283 V-1,45 V
Temperatura pracy:
0°C~+ 95°C
Typ:
SMD/SMT
Możliwość Supply:
10000
Podkreślić:

MT41K256M16TW-107:P

,

Chipy DDR3L SDRAM Micron

,

8 Bank Micron Chips

Opis produktu

Układy Micron MT41K256M16TW-107:P Kompatybilne z 1,35V/1,5V, 8-bankowe, wieloprędkościowe

 

Opis
DDR3L SDRAM (1,35V) to wersja niskonapięciowa
DDR3 (1,5V) SDRAM. Patrz arkusz danych
DDR3 (1,5V) SDRAM
(Rev. Die: E) w przypadku pracy w
 
trybie kompatybilnym z 1,5V.
Funkcje• Wstecznie kompatybilny z VDD = VDDQ
= 1,35V (1,283–1,45V) • Wstecznie kompatybilny z VDD = VDDQ
= 1,5V ±0,075V
– Obsługuje urządzenia DDR3L w celu zapewnienia wstecznej kompatybilności w aplikacjach 1,5V
• Różnicowy dwukierunkowy stroboskop danych
• Architektura prefetch 8n-bitowa
• Różnicowe wejścia zegara (CK, CK#)
• 8 wewnętrznych banków
• Nominalne i dynamiczne zakończenie na matrycy (ODT)
dla sygnałów danych, stroboskopu i maski
• Programowalna latencja odczytu CAS (CL)
• Programowalna dodatkowa latencja CAS (AL)
• Programowalna latencja zapisu CAS (CWL)
• Stała długość serii (BL) 8 i skracanie serii (BC) 4
(za pomocą rejestru trybu [MRS])
• Wybieralne BC4 lub BL8 na bieżąco (OTF)
• Tryb automatycznego odświeżania
• TC od 0°C do +95°C
– Odświeżanie 64ms, 8192 cykli przy temperaturze od 0°C do +85°C
– 32ms przy temperaturze od +85°C do +95°C
• Temperatura automatycznego odświeżania (SRT)
• Automatyczne odświeżanie (ASR)
• Wyrównanie zapisu
• Rejestr wielofunkcyjny
• Kalibracja sterownika wyjściowego
 
Opcje
Konfiguracja
1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
Obudowa FBGA (bez Pb) – x4, x8
78-kulowa (8mm x 10,5mm) Rev. P — DA
Obudowa FBGA (bez Pb) – x16
96-kulowa (8mm x 14mm) Rev. P — TW
Czas – czas cyklu
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1,07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1,25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Opcje specjalne
Produkt Premium Lifecycle (PLP) — X
Temperatura pracy
Handlowa (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Brak
Przemysłowa (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Rewizja — P 
 
Ta tabela przedstawia kluczowe parametry czasowe pamięci Micron DDR3L SDRAM dla trzech klas prędkości: -093 (2133 MT/s, czasy 14-14-14, 13,09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, czasy 13-13-13, 13,91ns tRCD/tRP/CL) i -125 (1600 MT/s, czasy 11-11-11, 13,75ns tRCD/tRP/CL). Odnotowuje również wsteczną kompatybilność: -093 obsługuje 1866 MT/s (CL=13) i 1600 MT/s (CL=11), podczas gdy -107 obsługuje 1600 MT/s (CL=11).
Wieloprędkość DDR3L MT41K256M16TW-107:P Mikron Chips 8-Bank 1.35V Nisko napięcie SDRAM
Wieloprędkość DDR3L MT41K256M16TW-107:P Mikron Chips 8-Bank 1.35V Nisko napięcie SDRAM