Name: Multi Velocidad DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Banco 1.35V Bajo Voltaje SDRAM
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107:P
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Micron
Número De Modelo:	MT41K256M16TW-107:P
Cantidad Mínima De Pedido:	500 Uds.
Detalles De Embalaje:	500pcs/reel
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Micron_07-31-2025_MT41K.pdf

Nombre del producto:

Micrón

modelo:

MT41K256M16TW-107:P

Ancho del bus de datos:

16 bits

Frecuencia máxima de reloj:

933 megaciclos

Tensión de alimentación:

1,283 V-1,45 V

Temperatura de funcionamiento:

0°C~+95°C

Tipo:

SMD/SMT

Capacidad de la fuente:

10000

Resaltar:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micron Chips

Micron Chips de 8 bancos

Descripción del Producto

Chips Micron MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Compatible, 8 bancos, Multi-velocidad

Descripción

DDR3L SDRAM (1.35V) es una versión de bajo voltaje de la

DDR3 (1.5V) SDRAM. Consulte las especificaciones de la hoja de datos de

DDR3 (1.5V) SDRAM (Rev. Die: E) cuando opere en

modo compatible de 1.5V.

Características

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Compatible con versiones anteriores a VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Soporta dispositivos DDR3L para ser compatibles con versiones anteriores en aplicaciones de 1.5V

• Ráfaga de datos bidireccional diferencial

• Arquitectura de prelectura de 8

n-bit • Entradas de reloj diferenciales (CK, CK#)

• 8 bancos internos

• Terminación nominal y dinámica en chip (ODT)

para señales de datos, ráfaga y máscara

• Latencia programable de CAS (LECTURA) (CL)

• Latencia aditiva de CAS publicada programable (AL)

• Latencia programable de CAS (ESCRITURA) (CWL)

• Longitud de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4

(a través del conjunto de registros de modo [MRS])

• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)

• Modo de autorrefresco

• T

C de 0°C a +95°C – Refresco de 64 ms, 8192 ciclos a 0°C a +85°C

– 32 ms a +85°C a +95°C

• Temperatura de autorrefresco (SRT)

• Autorrefresco automático (ASR)

• Nivelación de escritura

• Registro multipropósito

• Calibración del controlador de salida

Opciones

Configuración

1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
Paquete FBGA (sin plomo) — x4, x8
78 bolas (8 mm x 10.5 mm) Rev. P — DA
Paquete FBGA (sin plomo) — x16
96 bolas (8 mm x 14 mm) Rev. P — TW
Tiempo — tiempo de ciclo
938 ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07 ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Opciones Especiales
Producto de Ciclo de Vida Premium (PLP) — X
Temperatura de operación
Comercial (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Ninguno
Industrial (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Revisión — P
Esta tabla describe los parámetros de tiempo clave de Micron DDR3L SDRAM en tres grados de velocidad: -093 (2133 MT/s, tiempo 14-14-14, 13.09 ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, tiempo 13-13-13, 13.91 ns tRCD/tRP/CL) y -125 (1600 MT/s, tiempo 11-11-11, 13.75 ns tRCD/tRP/CL). También señala la compatibilidad con versiones anteriores: -093 soporta 1866 MT/s (CL=13) y 1600 MT/s (CL=11), mientras que -107 soporta 1600 MT/s (CL=11).

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

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TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Detalles de los productos

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