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उत्पादों का विवरण

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माइक्रोन चिप्स
Created with Pixso.

मल्टी स्पीड DDR3L MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 8-बैंक 1.35V लो वोल्टेज SDRAM

मल्टी स्पीड DDR3L MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 8-बैंक 1.35V लो वोल्टेज SDRAM

ब्रांड का नाम: Micron
मॉडल नंबर: MT41K256M16TW-107:P
MOQ: 500PCS
पैकेजिंग विवरण: 500 पीसी / रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
प्रोडक्ट का नाम:
माइक्रोन
नमूना:
MT41K256M16TW-107:P
डेटा बस चौड़ाई:
16 बिट
अधिकतम घड़ी आवृत्ति:
933 मेगाहर्ट्ज
बिजली आपूर्ति वोल्टेज:
1.283 वी-1.45 वी
परिचालन तापमान:
0 डिग्री सेल्सियस~+ 95 डिग्री सेल्सियस
प्रकार:
एसएमडी/एसएमटी
आपूर्ति की क्षमता:
10000
प्रमुखता देना:

MT41K256M16TW-107:P

,

डीडीआर3एल एसडीआरएएम माइक्रोन चिप्स

,

8 बैंक माइक्रोन चिप्स

उत्पाद वर्णन

Micron chips MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V संगत, 8-बैंक, मल्टी-स्पीड

 

विवरण
DDR3L SDRAM (1.35V) एक कम वोल्टेज वाला संस्करण है
DDR3 (1.5V) SDRAM का। DDR3 (1.5V) SDRAM
(डाई रेव.: E) डेटा शीट विनिर्देशों का संदर्भ लें जब
1.5V संगत मोड में चल रहा हो।
 
विशेषताएं
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• V पर पश्च संगत DD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– 1.5V अनुप्रयोगों में पश्च संगतता के लिए DDR3L उपकरणों का समर्थन करता है
• विभेदक द्विदिश डेटा स्ट्रोब
• 8
n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर • विभेदक क्लॉक इनपुट (CK, CK#)
• 8 आंतरिक बैंक
• डेटा, स्ट्रोब और मास्क सिग्नल के लिए नाममात्र और गतिशील ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)
• प्रोग्रामेबल CAS (रीड) लेटेंसी (CL)
• प्रोग्रामेबल पोस्टेड CAS एडिटिव लेटेंसी (AL)
• प्रोग्रामेबल CAS (राइट) लेटेंसी (CWL)
• 8 का निश्चित बर्स्ट लेंथ (BL) और 4 का बर्स्ट चॉप (BC)
(मोड रजिस्टर सेट [MRS] के माध्यम से)
• चयन योग्य BC4 या BL8 ऑन-द-फ्लाई (OTF)
• सेल्फ रिफ्रेश मोड
• T
C
0°C से +95°C तक – 64ms, 0°C से +85°C पर 8192-साइकिल रिफ्रेश – +85°C से +95°C पर 32ms
• सेल्फ रिफ्रेश तापमान (SRT)
• स्वचालित सेल्फ रिफ्रेश (ASR)
• राइट लेवलिंग
• मल्टीपर्पस रजिस्टर
• आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन
विकल्प
कॉन्फ़िगरेशन
 
1 गीगा x 4 — 1G4
512 मेगा x 8 — 512M8
256 मेगा x 16 — 256M16
FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x4, x8
78-बॉल (8mm x 10.5mm) रेव. P — DA
FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x16
96-बॉल (8mm x 14mm) रेव. P — TW
टाइमिंग – साइकिल टाइम
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
विशेष विकल्प
प्रीमियम लाइफसाइकिल उत्पाद (PLP) — X
ऑपरेटिंग तापमान
कमर्शियल (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — कोई नहीं
औद्योगिक (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
संशोधन — P 
यह तालिका तीन स्पीड ग्रेड में माइक्रोन DDR3L SDRAM के प्रमुख टाइमिंग पैरामीटर को रेखांकित करती है: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 टाइमिंग, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 टाइमिंग, 13.91ns tRCD/tRP/CL), और -125 (1600 MT/s, 11-11-11 टाइमिंग, 13.75ns tRCD/tRP/CL)। यह पश्च संगतता को भी नोट करता है: -093 1866 MT/s (CL=13) और 1600 MT/s (CL=11) का समर्थन करता है, जबकि -107 1600 MT/s (CL=11) का समर्थन करता है।
 
मल्टी स्पीड DDR3L MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 8-बैंक 1.35V लो वोल्टेज SDRAM
मल्टी स्पीड DDR3L MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 8-बैंक 1.35V लो वोल्टेज SDRAM