logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقائق ميكرون
Created with Pixso.

DDR3L متعدد السرعات MT41K256M16TW-107:P شرائح ميكرون 8 بنوك 1.35 فولت SDRAM منخفضة الجهد

DDR3L متعدد السرعات MT41K256M16TW-107:P شرائح ميكرون 8 بنوك 1.35 فولت SDRAM منخفضة الجهد

اسم العلامة التجارية: Micron
رقم الموديل: MT41K256M16TW-107:ص
موك: 500 قطعة
تفاصيل التغليف: 500 قطعة / بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
اسم المنتج:
ميكرون
نموذج:
MT41K256M16TW-107:ص
عرض ناقل البيانات:
16 بت
الحد الأقصى لتردد الساعة:
933 ميجا هرتز
جهد إمداد الطاقة:
1.283 فولت-1.45 فولت
درجة حرارة التشغيل:
0 درجة مئوية ~ + 95 درجة مئوية
يكتب:
سمد/سمت
القدرة على العرض:
10000
إبراز:

MT41K256M16TW-107:ص

,

DDR3L SDRAM شرائح ميكرون

,

8 بنوك شرائح ميكرون

وصف المنتج

رقائق Micron MT41K256M16TW-107:P متوافقة مع 1.35 فولت/1.5 فولت، 8 بنوك، سرعات متعددة

 

الوصف
DDR3L SDRAM (1.35 فولت) هو إصدار منخفض الجهد من
DDR3 (1.5 فولت) SDRAM. ارجع إلى ورقة بيانات
DDR3 (1.5 فولت) SDRAM (مراجعة الشريحة: E) عند التشغيل في
وضع التوافق 1.5 فولت.
 
الميزات
• VDD = VDDQ = 1.35 فولت (1.283-1.45 فولت)
• متوافق مع الإصدارات السابقة مع VDD = VDDQ = 1.5 فولت ±0.075 فولت
– يدعم أجهزة DDR3L لتكون متوافقة مع الإصدارات السابقة في تطبيقات 1.5 فولت
• إشارة بيانات تفاضلية ثنائية الاتجاه
• بنية جلب مسبق بمعدل 8
ن بت • مدخلات ساعة تفاضلية (CK, CK#)
• 8 بنوك داخلية
• إنهاء اسمي وديناميكي على الشريحة (ODT)
لإشارات البيانات والإشارة والقناع
• زمن وصول قابل للبرمجة للقراءة (CL)
• زمن وصول إضافي قابل للبرمجة للقراءة (AL)
• زمن وصول قابل للبرمجة للكتابة (CWL)
• طول انفجار ثابت (BL) 8 وقطع انفجار (BC) 4
(عبر مجموعة سجلات الوضع [MRS])
• اختيار BC4 أو BL8 أثناء التشغيل (OTF)
• وضع التحديث الذاتي
• T
C من 0 درجة مئوية إلى +95 درجة مئوية – تحديث 64 مللي ثانية، 8192 دورة عند 0 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية
– 32 مللي ثانية عند +85 درجة مئوية إلى +95 درجة مئوية
• درجة حرارة التحديث الذاتي (SRT)
• تحديث ذاتي تلقائي (ASR)
• تسوية الكتابة
• سجل متعدد الأغراض
• معايرة مشغل الإخراج
خيارات
 
التكوين
1 جيج × 4 — 1G4
512 ميج × 8 — 512M8
256 ميج × 16 — 256M16
حزمة FBGA (خالية من الرصاص) — x4, x8
78 كرة (8 مم × 10.5 مم) مراجعة P — DA
حزمة FBGA (خالية من الرصاص) — x16
96 كرة (8 مم × 14 مم) مراجعة P — TW
التوقيت — زمن الدورة
938 بيكو ثانية @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07 نانو ثانية @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25 نانو ثانية @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
خيارات خاصة
منتج دورة حياة متميز (PLP) — X
درجة حرارة التشغيل
تجاري (0 درجة مئوية ≤ TC ≤ +95 درجة مئوية) — لا شيء
صناعي (–40 درجة مئوية ≤ TC ≤ +95 درجة مئوية) — IT
المراجعة — P 
يحدد هذا الجدول معلمات التوقيت الرئيسية لذاكرة Micron DDR3L SDRAM عبر ثلاث درجات سرعة: -093 (2133 MT/s، توقيت 14-14-14، 13.09 نانو ثانية tRCD/tRP/CL)، -107 (1866 MT/s، توقيت 13-13-13، 13.91 نانو ثانية tRCD/tRP/CL)، و -125 (1600 MT/s، توقيت 11-11-11، 13.75 نانو ثانية tRCD/tRP/CL). كما يلاحظ التوافق مع الإصدارات السابقة: يدعم -093 سرعة 1866 MT/s (CL=13) و 1600 MT/s (CL=11)، بينما يدعم -107 سرعة 1600 MT/s (CL=11).
 
DDR3L متعدد السرعات MT41K256M16TW-107:P شرائح ميكرون 8 بنوك 1.35 فولت SDRAM منخفضة الجهد
DDR3L متعدد السرعات MT41K256M16TW-107:P شرائح ميكرون 8 بنوك 1.35 فولت SDRAM منخفضة الجهد