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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1.35V Low Voltage SDRAM

Marchio:	Micron
Numero di modello:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	500 pezzi
Dettagli dell'imballaggio:	500pcs/reel
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

Nome del prodotto:

Micron

modello:

MT41K256M16TW-107:P

Larghezza del bus dati:

16 bit

Frequenza massima dell'orologio:

933 megahertz

Tensione di alimentazione:

1,283 V-1,45 V

Temperatura operativa:

0°C~+ 95°C

Tipo:

SMD/SMT

Capacità di alimentazione:

10000

Evidenziare:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micron Chips

8 Bank Micron Chips

Descrizione del prodotto

Chip Micron MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Compatibile, 8-Bank, Multi-Speed

Descrizione

DDR3L SDRAM (1.35V) è una versione a bassa tensione di

DDR3 (1.5V) SDRAM. Fare riferimento alle specifiche del datasheet

DDR3 (1.5V) SDRAM (Revisione Die: E) quando si opera in

modalità compatibile 1.5V.

Caratteristiche

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Retrocompatibile con VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Supporta dispositivi DDR3L per essere retrocompatibili in applicazioni da 1.5V

• Dati bidirezionali differenziali strobe

• Architettura prefetch a 8

n-bit • Ingressi clock differenziali (CK, CK#)

• 8 banchi interni

• Terminazione on-die (ODT) nominale e dinamica

per segnali dati, strobe e maschera

• Latenza programmabile CAS (READ) (CL)

• Latenza additiva CAS posticipata programmabile (AL)

• Latenza programmabile CAS (WRITE) (CWL)

• Lunghezza burst fissa (BL) di 8 e burst chop (BC) di 4

(tramite il registro di modalità [MRS])

• BC4 o BL8 selezionabile on-the-fly (OTF)

• Modalità di auto-refresh

• T

C da 0°C a +95°C – Refresh di 64 ms, 8192 cicli a 0°C a +85°C

– 32 ms a +85°C a +95°C

• Temperatura di auto-refresh (SRT)

• Auto-refresh automatico (ASR)

• Livellamento scrittura

• Registro multifunzione

• Calibrazione driver di uscita

Opzioni

Configurazione

1 Gig x 4 — 1G4
512 Meg x 8 — 512M8
256 Meg x 16 — 256M16
Package FBGA (Pb-free) — x4, x8
78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P — DA
Package FBGA (Pb-free) — x16
96-ball (8mm x 14mm) Rev. P — TW
Timing — tempo di ciclo
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) — -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) — -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) — -125
Opzioni Speciali
Prodotto a Ciclo di Vita Premium (PLP) — X
Temperatura operativa
Commerciale (0°C ≤ TC ≤ +95°C) — Nessuno
Industriale (–40°C ≤ TC ≤ +95°C) — IT
Revisione — P
Questa tabella delinea i parametri di temporizzazione chiave della DDR3L SDRAM Micron attraverso tre velocità: -093 (2133 MT/s, temporizzazione 14-14-14, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, temporizzazione 13-13-13, 13.91ns tRCD/tRP/CL) e -125 (1600 MT/s, temporizzazione 11-11-11, 13.75ns tRCD/tRP/CL). Nota anche la retrocompatibilità: -093 supporta 1866 MT/s (CL=13) e 1600 MT/s (CL=11), mentre -107 supporta 1600 MT/s (CL=11).

Tag:

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