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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1,35V Low Voltage SDRAM

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Multi Speed DDR3L MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 8-Bank 1,35V Low Voltage SDRAM

Markenname:	Micron
Modellnummer:	MT41K256M16TW-107:P
Mindestbestellmenge:	500 Stück
Verpackungsdetails:	500pcs/reel
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Produktname:

Mikron

Modell:

MT41K256M16TW-107:P

Datenbusbreite:

16 Bit

Maximale Taktfrequenz:

933 MHZ

Versorgungsspannung:

1,283 V-1,45 V

Betriebstemperatur:

0 °C bis + 95 °C

SMD/SMT

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

10000

Hervorheben:

MT41K256M16TW-107:P

DDR3L SDRAM Micron Chips

8 Bank Micron Chips

Produktbeschreibung

Mikronchips MT41K256M16TW-107:P 1.35V/1.5V Kompatibel, 8-Bank, Mehrgeschwindigkeiten

Beschreibung

DDR3L SDRAM (1.35V) ist eine Niederspannungsversion des

DDR3 (1.5V) SDRAM. Siehe DDR3 (1.5V) SDRAM

(Die Rev.: E) Spezifikationen des Datenblatts bei Ausführung in

1.5V-kompatibel.

Eigenschaften

• VDD= VDDQ= 1,35 V (1,283 ∼1,45 V)

• Rückwärtskompatibel mit VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V

Unterstützung von DDR3L-Geräten für die Rückwärtskommunikation

mit einer Leistung von mehr als 50 W

• Differenzielle bidirektionale Datenstroboskopie

• 8n- Bit-Prefetch-Architektur

• Differentialschalteinträge (CK, CK#)

• 8 interne Banken

• Nominale und dynamische Endung (ODT)

für Daten-, Stroboskop- und Maskensignale

• Programmierbare CAS (READ) Latenzzeit (CL)

• Programmierbare gepostete CAS-Additivlatenz (AL)

• Programmierbare CAS (WRITE) Latenzzeit (CWL)

• Festplattenlänge (BL) von 8 und Plattenhaut (BC) von 4

(über das Modusregister-Set [MRS])

• Auswählbares BC4 oder BL8 On-the-Fly (OTF)

• Selbst-Erneuerungsmodus

• TCvon 0°C bis +95°C

- 64ms, 8192 Zyklen bei 0°C bis +85°C

32 ms bei +85°C bis +95°C

• Selbsterfrischungstemperatur (SRT)

• Automatische Selbsterneuerung (ASR)

• Schreiben Sie die Ebenenbildung

• Mehrzweckregister

• Kalibrierung des Ausgangstreibers

Auswahlmöglichkeiten

Ausstattung
1 Gig x 4 1G4
512 Meg x 8 512M8
256 Meg x 16 256M16
FBGA-Paket (Pb-frei) x4, x8
78-Kugel (8 mm x 10,5 mm) Rev. P DA
FBGA-Paket (Pb-frei) x16
96-Kugel (8mm x 14mm) Rev. P TW
Zeitplanung ✓ Zykluszeit
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133)
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866)
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)
Spezielle Optionen
Das Premium-Lebenszykluprodukt (PLP)
Betriebstemperatur
Handelsgewerbe (0 °C ≤ TC ≤ +95 °C)
Industrie (TC ≤ +95 °C)
Überarbeitung P

Diese Tabelle beschreibt die wichtigsten Zeitparameter von Micron DDR3L SDRAM in drei Geschwindigkeitsstufen: -093 (2133 MT/s, 14-14-14 Zeit, 13.09ns tRCD/tRP/CL), -107 (1866 MT/s, 13-13-13 Zeit, 13.91ns tRCD/tRP/CL), und -125 (1600 MT/s, 11-11-11 Timing, 13.75ns tRCD/tRP/CL). Es wird auch eine Rückwärtskompatibilität festgestellt: -093 unterstützt 1866 MT/s (CL=13) und 1600 MT/s (CL=11), während -107 1600 MT/s (CL=11) unterstützt.

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

LUMINUS LED-Chip

LED-Lampenperlen

SAMSUNG IC Chips

Mikron-Chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-Chip

SAMSUNG LED Chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chips

ONSemi-Chips

ADI-Chips

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Hochleistungs-LED-Chip

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