szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

Tranzystor polowy z tlenku metalu i półprzewodnika Infineon Chip IPW65R110CFDA

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Tranzystor polowy z tlenku metalu i półprzewodnika Infineon Chip IPW65R110CFDA

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IPW65R041CFD
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IPW65R041CFD

Nazwa produktu:

Chip Infineona

Temperatura pracy:

- 40°C ~ + 150°C

Rozpraszanie mocy:

277,8 W

Styl instalacji:

Przez dziurę

Ciągły prąd spustowy:

31,2 A

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

Układ scalony Infineon Chip IPW65R110CFDA

Tranzystor polowy z tlenku metalu i półprzewodnika

Tranzystor polowy

Opis produktu

Tranzystor polowy typu Metal Oxide Semiconductor firmy Infineon Chip IPW65R110CFDA

Opis

CoolMOS™ to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET mocy wysokiego napięcia, zaprojektowana zgodnie z zasadą superzłącza (SJ) i zapoczątkowana przez Infineon Technologies. Seria CoolMOS™ CFDA 650V łączy doświadczenie wiodącego dostawcy tranzystorów MOSFET SJ z innowacjami najwyższej klasy. Powstałe urządzenia oferują wszystkie zalety szybko przełączających tranzystorów MOSFET SJ, jednocześnie zapewniając niezwykle szybką i wytrzymałą diodę wewnętrzną. Ta kombinacja niezwykle niskich strat przełączania, komutacji i przewodzenia, wraz z najwyższą wytrzymałością, sprawia, że szczególnie zastosowania z przełączaniem rezonansowym są bardziej niezawodne, wydajniejsze, lżejsze i chłodniejsze.

Cechy

Ultraszybka dioda wewnętrzna

Bardzo wysoka wytrzymałość komutacyjna

Niezwykle niskie straty dzięki bardzo niskiemu FOM Rdson*Qg i Eoss

Łatwy w użyciu/sterowaniu

Kwalifikowany zgodnie z AEC Q101

Zielone opakowanie (zgodne z RoHS), poszycie bez ołowiu, bezhalogenowe dla masy formierskiej

Zastosowania

CoolMOS™ CFDA 650V jest przeznaczony do zastosowań przełączających.

Maksymalne parametry

przy Tj = 25°C, o ile nie określono inaczej

Charakterystyki termiczne

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

Tranzystor polowy z tlenku metalu i półprzewodnika Infineon Chip IPW65R110CFDA

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI