Name: IPW65R110CFDA Infineon Chip Óxido Metálico Semicondutor Transistor de Efeito de Campo
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IPW65R041CFD
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IPW65R041CFD
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v...en.pdf

modelo:

IPW65R041CFD

Nome do produto:

Chip Infineon

Temperatura operacional:

- 40 °C ~ + 150 °C

Dissipação de energia:

277,8 W

Estilo de instalação:

Através do buraco

Corrente contínua do dreno:

31.2 A

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IPW65R110CFDA Chip Infineon

Transistores semicondutores de óxido metálico

Transistor de efeito de campo

Descrição do produto

Chip Infineon IPW65R110CFDA Transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor

Descrição

O CoolMOSTM é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tensão, projetada de acordo com o princípio de superjunção (SJ) e desenvolvida pela Infineon Technologies.A série 650V CoolMOSTM CFDA combina a experiência do fornecedor líder de MOSFET SJ com inovação de alta classeOs dispositivos resultantes oferecem todos os benefícios de um MOSFET SJ de comutação rápida, oferecendo um diodo de corpo extremamente rápido e robusto.comutação e perdas de condução juntamente com a maior robustez tornam especialmente as aplicações de comutação de ressonância mais confiáveis, mais eficiente, mais leve e mais frio.

Características

Diodo de corpo ultra-rápido

A resistência à comutação é muito elevada

Perdas extremamente baixas devido a FOM Rdson*Qg e Eoss muito baixos

Facilidade de utilização/condução

Qualificado de acordo com a norma AEC Q101

Pacote verde (compatível com a RoHS), revestimento sem Pb, sem halogênio para composto de mofo

Aplicações

O 650V CoolMOSTM CFDA foi concebido para aplicações de comutação.

Classificações máximas

a Tj = 25°C, salvo especificação em contrário

Características térmicas

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

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Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

IPW65R110CFDA Infineon Chip Óxido Metálico Semicondutor Transistor de Efeito de Campo

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

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Chipe LED Bridgelux

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Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

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