logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IPW65R110CFDA Infineon ชิปโลหะออกไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม

IPW65R110CFDA Infineon ชิปโลหะออกไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IPW65R041CFD
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IPW65R041CFD
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 40 องศาเซลเซียส ~ + 150 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
277.8 วัตต์
รูปแบบการติดตั้ง:
ผ่านรู
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
31.2 ก
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IPW65R110CFDA ชิป Infineon

,

ทรานซิสเตอร์ครึ่งประจุโลหะออกไซด์

,

ทรานซิสเตอร์สนามผล

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IPW65R110CFDA ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าออกไซด์โลหะ


คำอธิบาย

CoolMOS™ เป็นเทคโนโลยีที่ปฏิวัติวงการสำหรับ MOSFET กำลังไฟฟ้าแรงสูง ออกแบบตามหลักการ superjunction (SJ) และบุกเบิกโดย Infineon Technologies ซีรีส์ 650V CoolMOS™ CFDA ผสมผสานประสบการณ์ของผู้จำหน่าย MOSFET แบบ SJ ชั้นนำเข้ากับนวัตกรรมระดับสูง อุปกรณ์ที่ได้จึงให้ประโยชน์ทั้งหมดของ MOSFET แบบ SJ ที่สวิตช์ได้เร็ว ในขณะที่ให้ไดโอดในตัวที่เร็วและทนทานเป็นพิเศษ การผสมผสานระหว่างการสูญเสียการสวิตช์ การสลับ และการนำกระแสที่ต่ำเป็นพิเศษ ควบคู่ไปกับความทนทานสูงสุด ทำให้แอปพลิเคชันสวิตชิ่งแบบเรโซแนนซ์มีความน่าเชื่อถือ มีประสิทธิภาพมากขึ้น เบาลง และเย็นลง

คุณสมบัติ

ไดโอดในตัวที่เร็วเป็นพิเศษ

ความทนทานต่อการสลับสูงมาก

การสูญเสียต่ำเป็นพิเศษเนื่องจาก FOM Rdson*Qg และ Eoss ที่ต่ำมาก

ใช้งาน/ขับง่าย

ผ่านการรับรองตามมาตรฐาน AEC Q101

แพ็คเกจสีเขียว (เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS), การชุบแบบไร้สารตะกั่ว, ปราศจากฮาโลเจนสำหรับสารประกอบแม่พิมพ์


การใช้งาน

650V CoolMOS™ CFDA ออกแบบมาสำหรับการใช้งานสวิตชิ่ง

IPW65R110CFDA Infineon ชิปโลหะออกไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม


การให้คะแนนสูงสุด
ที่ Tj = 25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
IPW65R110CFDA Infineon ชิปโลหะออกไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม

ลักษณะทางความร้อน
IPW65R110CFDA Infineon ชิปโลหะออกไซด์ครึ่งตัวนํา ทรานซิสเตอร์ผลสนาม