Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại Chip IPW65R110CFDA của Infineon
Mô tả
CoolMOS™ là một công nghệ mang tính cách mạng cho các MOSFET công suất điện áp cao, được thiết kế theo nguyên lý siêu nối (SJ) và tiên phong bởi Infineon Technologies. Dòng CFDA CoolMOS™ 650V kết hợp kinh nghiệm của nhà cung cấp MOSFET SJ hàng đầu với sự đổi mới đẳng cấp cao. Các thiết bị kết quả mang lại tất cả lợi ích của MOSFET SJ chuyển mạch nhanh trong khi cung cấp một điốt thân cực nhanh và mạnh mẽ. Sự kết hợp của tổn thất chuyển mạch, chuyển mạch và dẫn cực thấp này cùng với độ bền cao nhất làm cho các ứng dụng chuyển mạch cộng hưởng đặc biệt đáng tin cậy hơn, hiệu quả hơn, nhẹ hơn và mát hơn.
Đặc điểm
Điốt thân cực nhanh
Độ bền chuyển mạch rất cao
Tổn thất cực thấp do FOM Rdson*Qg và Eoss rất thấp
Dễ sử dụng/lái
Được chứng nhận theo AEC Q101
Gói xanh (tuân thủ RoHS), mạ không chì, không halogen cho hợp chất đúc
Ứng dụng
CoolMOS™ CFDA 650V được thiết kế cho các ứng dụng chuyển mạch.