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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IPW65R110CFDA Infineon चिप मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर

IPW65R110CFDA Infineon चिप मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
IPW65R041CFD
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
परिचालन तापमान:
- 40 डिग्री सेल्सियस ~ + 150 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
277.8 डब्ल्यू
स्थापना शैली:
होल के माध्यम से
निरंतर नाली वर्तमान:
31.2 ए
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

IPW65R110CFDA Infineon चिप

,

मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर ट्रांजिस्टर

,

फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर

उत्पाद वर्णन

Infineon Chip IPW65R110CFDA मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर 


विवरण

CoolMOS™ उच्च वोल्टेज पावर MOSFETs के लिए एक क्रांतिकारी तकनीक है, जिसे सुपरजंक्शन (SJ) सिद्धांत के अनुसार डिजाइन किया गया है और Infineon Technologies द्वारा अग्रणी है। 650V CoolMOS™ CFDA श्रृंखला एक तेज स्विचिंग SJ MOSFET के सभी लाभों को एक अत्यंत तेज और मजबूत बॉडी डायोड प्रदान करती है। अत्यंत कम स्विचिंग, कम्यूटेशन और कंडक्शन लॉस के साथ-साथ उच्चतम मजबूती का यह संयोजन विशेष रूप से रेजोनेंट स्विचिंग अनुप्रयोगों को अधिक विश्वसनीय, अधिक कुशल, हल्का और ठंडा बनाता है।

विशेषताएं

अल्ट्रा-फास्ट बॉडी डायोड

बहुत उच्च कम्यूटेशन रग्डनेस

बहुत कम FOM Rdson*Qg और Eoss के कारण अत्यंत कम नुकसान

उपयोग/ड्राइव करने में आसान

AEC Q101 के अनुसार योग्य

ग्रीन पैकेज (RoHS अनुपालन), Pb-मुक्त प्लेटिंग, मोल्ड कंपाउंड के लिए हैलोजन-मुक्त


अनुप्रयोग

650V CoolMOS™ CFDA स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।

IPW65R110CFDA Infineon चिप मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर


अधिकतम रेटिंग
Tj = 25°C पर, जब तक कि अन्यथा निर्दिष्ट न हो
IPW65R110CFDA Infineon चिप मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर

थर्मल विशेषताएं
IPW65R110CFDA Infineon चिप मेटल ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर