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Infineon-Chip

IPW65R110CFDA Infineon Chip Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

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IPW65R110CFDA Infineon Chip Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IPW65R041CFD
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IPW65R041CFD

Produktname:

Infineon-Chip

Betriebstemperatur:

- 40 °C ~ + 150 °C

Verlustleistung:

277,8 W

Installationsstil:

Durch Loch

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

31.2 A

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IPW65R110CFDA Infineon Chip

Metalloxid-Halbleiter-Transistor

Feldeffekttransistor

Produktbeschreibung

Infineon Chip IPW65R110CFDA Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Beschreibung

CoolMOS™ ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde und von Infineon Technologies eingeführt wurde. Die 650V CoolMOS™ CFDA-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation. Die daraus resultierenden Bauteile bieten alle Vorteile eines schnell schaltenden SJ-MOSFETs und gleichzeitig eine extrem schnelle und robuste Body-Diode. Diese Kombination aus extrem niedrigen Schalt-, Kommutierungs- und Leitungsverlusten zusammen mit höchster Robustheit macht insbesondere Resonanzschaltanwendungen zuverlässiger, effizienter, leichter und kühler.

Merkmale

Ultra-schnelle Body-Diode

Sehr hohe Kommutierungsfestigkeit

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM Rdson*Qg und Eoss

Einfach zu bedienen/anzusteuern

Qualifiziert nach AEC Q101

Grünes Gehäuse (RoHS-konform), Pb-freie Beschichtung, halogenfrei für Formmasse

Anwendungen

650V CoolMOS™ CFDA ist für Schaltanwendungen konzipiert.

Maximale Nennwerte

bei Tj = 25°C, sofern nicht anders angegeben

Thermische Eigenschaften

Schlagworte:

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