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Détails des produits

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Puce Infineon
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Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA

Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IPW65R041CFD
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
modèle:
IPW65R041CFD
Nom du produit:
Puce Infineon
Température de fonctionnement:
- 40 °C ~ + 150 °C
Dissipation de puissance:
277,8 W
Style d'installation:
Par le trou
Courant continu de drain:
31.2 A
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

Puce Infineon IPW65R110CFDA

,

Transistor à semi-conducteur à oxyde métallique

,

Transistor à effet de champ

Description du produit

Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA 


Description

CoolMOS™ est une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance haute tension, conçue selon le principe de la superjonction (SJ) et pionnière d'Infineon Technologies. La série CFDA CoolMOS™ 650V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute classe. Les dispositifs résultants offrent tous les avantages d'un MOSFET SJ à commutation rapide tout en offrant une diode de corps extrêmement rapide et robuste. Cette combinaison de pertes de commutation, de commutation et de conduction extrêmement faibles, associée à une robustesse maximale, rend les applications de commutation résonnante particulièrement plus fiables, plus efficaces, plus légères et plus fraîches.

Caractéristiques

Diode de corps ultra-rapide

Très haute robustesse de commutation

Pertes extrêmement faibles grâce à un FOM Rdson*Qg et Eoss très faibles

Facile à utiliser/piloter

Qualifié selon AEC Q101

Boîtier écologique (conforme RoHS), placage sans plomb, sans halogène pour le composé de moulage


Applications

Le CoolMOS™ CFDA 650V est conçu pour les applications de commutation.

Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA


Notes maximales
à Tj = 25°C, sauf indication contraire
Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA

Caractéristiques thermiques
Transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique de puce Infineon IPW65R110CFDA