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インフィニオンチップ
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IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ

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IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ
  • 名前

IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v...en.pdf
モデル:
IPW65R041CFD
製品名:
インフィニオンチップ
動作温度:
-40℃～+150℃
消費電力:
277.8W
インストールスタイル:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
31.2A
供給の能力:
100000
ハイライト:

IPW65R110CFDA インフィニオンチップ

,

メタルオキシド半導体トランジスタ

,

電界効果トランジスタ

製品説明

Infineon Chip IPW65R110CFDA 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ


説明

CoolMOS™は、インフィニオン・テクノロジーズが先駆けて開発したスーパー接合（SJ）原理に基づいた高電圧パワーMOSFETの革新的な技術です。650V CoolMOS™ CFDAシリーズは、主要なSJ MOSFETサプライヤーの経験とクラス最高のイノベーションを組み合わせています。その結果、高速スイッチングSJ MOSFETのすべての利点を提供すると同時に、非常に高速で堅牢なボディダイオードを実現しています。この非常に低いスイッチング、コミューテーション、および導通損失と最高の堅牢性の組み合わせにより、特に共振スイッチングアプリケーションはより信頼性が高く、効率的で、軽量で、冷却性が向上します。

特徴

超高速ボディダイオード

非常に高いコミューテーション耐性

非常に低いFOM Rdson*QgおよびEossによる極めて低い損失

使いやすく、駆動しやすい

AEC Q101に準拠して認定済み

グリーンパッケージ（RoHS準拠）、Pbフリーメッキ、モールドコンパウンド用ハロゲンフリー


アプリケーション

650V CoolMOS™ CFDAはスイッチングアプリケーション向けに設計されています。

IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ


最大定格
Tj = 25℃、特に指定がない限り
IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ

熱特性
IPW65R110CFDA インフィニオンチップ メタルオキシド半導体フィールド効果トランジスタ
タグ: 

インフィニオン パワーMOSFET  

チップ インフィニオン  

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