Name: IPW65R110CFDA Infineon Chip Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IPW65R041CFD
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IPW65R041CFD
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

Infineon_IPX65R110CFDA_DS_v...en.pdf

modelo:

IPW65R041CFD

Nombre del producto:

Chip Infineon

Temperatura de funcionamiento:

- 40 ºC ~ + 150 ºC

Disipación de energía:

277,8 vatios

Estilo de instalación:

A través del agujero

Corriente continua del dren:

31.2 A

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IPW65R110CFDA Infineon Chip

Transistor de semiconductor de óxido metálico

Transistor de efecto de campo

Descripción del Producto

Infineon Chip IPW65R110CFDA Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal

Descripción

CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFETs de potencia de alto voltaje, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CFDA CoolMOS™ de 650V combina la experiencia del principal proveedor de MOSFET SJ con innovación de alta calidad. Los dispositivos resultantes ofrecen todos los beneficios de un MOSFET SJ de conmutación rápida, al tiempo que ofrecen un diodo de cuerpo extremadamente rápido y robusto. Esta combinación de pérdidas de conmutación, conmutación y conducción extremadamente bajas junto con la mayor robustez hace que las aplicaciones de conmutación resonante sean especialmente más confiables, más eficientes, más ligeras y más frías.

Características

Diodo de cuerpo ultrarrápido

Muy alta robustez de conmutación

Pérdidas extremadamente bajas debido a un FOM Rdson*Qg y Eoss muy bajos

Fácil de usar/controlar

Calificado según AEC Q101

Paquete ecológico (conforme a RoHS), chapado sin plomo, libre de halógenos para el compuesto de moldeo

Aplicaciones

CoolMOS™ CFDA de 650V está diseñado para aplicaciones de conmutación.

Calificaciones máximas

a Tj = 25°C, a menos que se especifique lo contrario

Características térmicas

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Detalles de los productos

IPW65R110CFDA Infineon Chip Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico

CHIP LED OSRAM

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Chip LED LUMINOSO

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