logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقاقة انفينيون
Created with Pixso.

IPW65R110CFDA إنفينون شريحة ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل للأكاسيد المعدنية

IPW65R110CFDA إنفينون شريحة ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل للأكاسيد المعدنية

اسم العلامة التجارية: Infineon Chip
رقم الموديل: IPW65R041CFD
موك: 2500
تفاصيل التغليف: 2500 قطعة/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
نموذج:
IPW65R041CFD
اسم المنتج:
رقاقة انفينيون
درجة حرارة التشغيل:
- 40 درجة مئوية ~ + 150 درجة مئوية
تبديد الطاقة:
277.8 واط
نمط التثبيت:
من خلال ثقب
تيار التصريف المستمر:
31.2 أ
القدرة على العرض:
100000
إبراز:

IPW65R110CFDA إنفينون شريحة

,

ترانزستور شبه موصل لأكاسيد المعادن

,

حقل التأثير الترانزستور

وصف المنتج

Infineon Chip IPW65R110CFDA ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل لأكسيد المعادن 


وصف

CoolMOS™ هي تقنية ثورية لترانزستورات MOSFET للطاقة ذات الجهد العالي، مصممة وفقًا لمبدأ الوصلة الفائقة (SJ) ورائدة من قبل Infineon Technologies. تجمع سلسلة 650V CoolMOS™ CFDA بين خبرة المورد الرائد لترانزستورات MOSFET SJ والابتكار عالي الجودة. توفر الأجهزة الناتجة جميع مزايا ترانزستور MOSFET SJ سريع التبديل مع توفير ديود جسم سريع وقوي للغاية. هذا المزيج من خسائر التبديل، والتبديل، والتوصيل المنخفضة للغاية جنبًا إلى جنب مع أقوى متانة تجعل تطبيقات التبديل الرنيني على وجه الخصوص أكثر موثوقية وكفاءة وأخف وزناً وأكثر برودة.

سمات

ديود جسم فائق السرعة

متانة تبديل عالية جدًا

خسائر منخفضة للغاية بسبب FOM Rdson*Qg و Eoss المنخفض جدًا

سهل الاستخدام/القيادة

مؤهل وفقًا لـ AEC Q101

حزمة خضراء (متوافقة مع RoHS)، طلاء خالٍ من الرصاص، خالٍ من الهالوجين لمركب القولبة


تطبيقات

تم تصميم 650V CoolMOS™ CFDA لتطبيقات التبديل.

IPW65R110CFDA إنفينون شريحة ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل للأكاسيد المعدنية


الحد الأقصى للتقييمات
عند Tj = 25°C، ما لم يُذكر خلاف ذلك
IPW65R110CFDA إنفينون شريحة ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل للأكاسيد المعدنية

الخصائص الحرارية
IPW65R110CFDA إنفينون شريحة ترانزستور تأثير المجال شبه الموصل للأكاسيد المعدنية