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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IPW65R110CFDA 인피니언 칩 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터

IPW65R110CFDA 인피니언 칩 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IPW65R041CFD
제품명:
인피니언 칩
작동 온도:
- 40°C ~ + 150°C
전력 소비:
277.8W
설치 스타일:
구멍을 통해
연속배수 경향:
31.2A
공급 능력:
100000
강조하다:

IPW65R110CFDA 인피니언 칩

,

금속 산화막 반도체 트랜지스터

,

전계 효과 트랜지스터

제품 설명

인피니온 칩 IPW65R110CFDA 금속 산화 반도체 현장 효과 트랜지스터


설명

쿨모스 (CoolMOSTM) 는 초연결 (SJ) 원리에 따라 설계된 고전압 전력 MOSFET에 대한 혁명적 기술이며 인피니온 테크놀로지 (Infineon Technologies) 에서 개척되었습니다.650V CoolMOSTM CFDA 시리즈는 선도적인 SJ MOSFET 공급업체의 경험을 고급 혁신과 결합합니다.그 결과 된 장치들은 매우 빠르고 견고한 보디 다이오드를 제공하면서 빠른 스위칭 SJ MOSFET의 모든 장점을 제공합니다.변전 및 전도 손실과 함께 가장 높은 견고성은 특히 공명 전환 응용 프로그램을 더 신뢰할 수 있습니다., 더 효율적이고 가볍고 시원합니다.

특징

초고속 보디 다이오드

매우 높은 전환 강도

매우 낮은 FOM Rdson*Qg와 Eoss로 인해 매우 낮은 손실

사용/운전 용이함

AEC Q101에 따라 자격

녹색 패키지 (RoHS 준수), Pb-free 접착, 곰팡이 화합물에 대한 할로겐 무료


신청서

650V CoolMOSTM CFDA는 스위치 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

IPW65R110CFDA 인피니언 칩 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터


최고 등급
Tj = 25°C에서, 달리 정하지 않은 경우
IPW65R110CFDA 인피니언 칩 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터

열 특성
IPW65R110CFDA 인피니언 칩 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터