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Chip Infineon

IPW65R110CFDA Infineon Chip Transistor a Ossido di Metallo Semiconduttore a Effetto di Campo

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IPW65R110CFDA Infineon Chip Transistor a Ossido di Metallo Semiconduttore a Effetto di Campo

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IPW65R041CFD
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IPW65R041CFD

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Temperatura operativa:

-40°C~+150°C

Dissipazione di potenza:

277,8 W

Stile di installazione:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

31.2 A

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IPW65R110CFDA Infineon Chip

Transistor a Ossido di Metallo Semiconduttore

Transistor di effetto di campo

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IPW65R110CFDA Transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido metallico

Descrizione

CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio superjunction (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. La serie CFDA CoolMOS™ da 650 V combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. I dispositivi risultanti offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida offrendo al contempo un diodo del corpo estremamente rapido e robusto. Questa combinazione di perdite di commutazione, commutazione e conduzione estremamente basse insieme alla massima robustezza rende le applicazioni a commutazione risonante in particolare più affidabili, più efficienti, più leggere e più fresche.

Caratteristiche

Diodo del corpo ultraveloce

Robustezza di commutazione molto elevata

Perdite estremamente basse grazie a FOM Rdson*Qg ed Eoss molto bassi

Facile da usare/pilotare

Qualificato secondo AEC Q101

Package ecologico (conforme RoHS), placcatura senza piombo, senza alogeni per il composto di stampaggio

Applicazioni

CoolMOS™ CFDA da 650 V è progettato per applicazioni di commutazione.

Valori nominali massimi

a Tj = 25°C, se non diversamente specificato

Caratteristiche termiche

Tag:

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