details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IPW65R110CFDA Infineon Chip Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IPW65R110CFDA Infineon Chip Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IPW65R041CFD
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IPW65R041CFD

Productnaam:

Infineon-chip

Bedrijfstemperatuur:

- 40 °C ~ + 150 °C

Vermogensdissipatie:

277,8 W

Installatiestijl:

Door gat

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

31.2 A

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IPW65R110CFDA Infineon Chip

Metal Oxide Semiconductor Transistor

Gebiedseffect transistor

Productbeschrijving

Infineon Chip IPW65R110CFDA Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Beschrijving

CoolMOS™ is een revolutionaire technologie voor hoogspannings power MOSFETs, ontworpen volgens het superjunction (SJ) principe en gepionierd door Infineon Technologies. De 650V CoolMOS™ CFDA-serie combineert de ervaring van de toonaangevende SJ MOSFET-leverancier met innovatie van topklasse. De resulterende apparaten bieden alle voordelen van een snel schakelende SJ MOSFET met een extreem snelle en robuuste bodydiode. Deze combinatie van extreem lage schakel-, commutatie- en geleidingsverliezen, samen met de hoogste robuustheid, maakt vooral resonant schakelende toepassingen betrouwbaarder, efficiënter, lichter en koeler.

Kenmerken

Ultrasnelle bodydiode

Zeer hoge commutatieruwheid

Extreem lage verliezen dankzij zeer lage FOM Rdson*Qg en Eoss

Eenvoudig te gebruiken/aan te sturen

Gekwalificeerd volgens AEC Q101

Groen pakket (RoHS-conform), Pb-vrije beplating, halogeenvrij voor gietcompound

Toepassingen

650V CoolMOS™ CFDA is ontworpen voor schakeltoepassingen.

Maximale specificaties

bij Tj = 25°C, tenzij anders gespecificeerd

Thermische kenmerken

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IPW65R110CFDA Infineon Chip Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips