logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی تراشه Infineon IPW65R110CFDA

ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی تراشه Infineon IPW65R110CFDA

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IPW65R041CFD
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IPW65R041CFD
نام محصول:
تراشه Infineon
دمای عملیاتی:
- 40 درجه سانتیگراد ~ + 150 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
277.8 وات
سبک نصب:
از طریق سوراخ
جریان تخلیه مداوم:
31.2 A
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

تراشه Infineon IPW65R110CFDA

,

ترانزیستور نیمه‌رسانای اکسید فلزی

,

ترانزیستور اثر میدانی

توضیحات محصول

ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادی اکسید فلز Infineon Chip IPW65R110CFDA 


توضیحات

CoolMOS™ یک فناوری انقلابی برای ماسفت‌های توان ولتاژ بالا است که بر اساس اصل سوپرجامپ (SJ) طراحی شده و توسط Infineon Technologies پیشگام شده است. سری 650V CoolMOS™ CFDA تجربه پیشروترین تامین‌کننده ماسفت SJ را با نوآوری کلاس بالا ترکیب می‌کند. دستگاه‌های حاصله تمام مزایای یک ماسفت SJ با سوئیچینگ سریع را ارائه می‌دهند و در عین حال یک دیود بدنه بسیار سریع و مقاوم را ارائه می‌دهند. این ترکیب از سوئیچینگ بسیار کم، تلفات جابجایی و هدایت همراه با بالاترین مقاومت، به‌ویژه کاربردهای سوئیچینگ تشدیدی را قابل اطمینان‌تر، کارآمدتر، سبک‌تر و خنک‌تر می‌کند.

ویژگی‌ها

دیود بدنه فوق‌العاده سریع

مقاومت جابجایی بسیار بالا

تلفات بسیار کم به دلیل FOM Rdson*Qg و Eoss بسیار پایین

استفاده/درایو آسان

مطابق با AEC Q101 واجد شرایط است

بسته سبز (مطابق با RoHS)، آبکاری بدون سرب، بدون هالوژن برای ترکیب قالب


کاربردها

650V CoolMOS™ CFDA برای کاربردهای سوئیچینگ طراحی شده است.

ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی تراشه Infineon IPW65R110CFDA


حداکثر درجه‌بندی‌ها
در Tj = 25°C، مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد
ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی تراشه Infineon IPW65R110CFDA

مشخصات حرارتی
ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلزی تراشه Infineon IPW65R110CFDA