szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Zaawansowana Technologia Procesowa

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Zaawansowana Technologia Procesowa

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IRFR5305TRPBF
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IRFR5305TRPBF

Nazwa produktu:

Chip Infineona

Temperatura pracy:

-55°C ~ + 175°C

Rozpraszanie mocy:

110 W

SMD/SMT

Ciągły prąd spustowy:

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 Infineon Chip

Montaż Powierzchniowy Zaawansowana Technologia Procesowa MOSFET

Opis produktu

Układ Infineon IRFR5305TRPBF o bardzo niskiej rezystancji w stanie włączenia do montażu powierzchniowego (IRFR5305) Zaawansowana technologia procesowa

Bardzo niska rezystancja w stanie włączenia

Montaż powierzchniowy (IRFR5305)

Proste wyprowadzenia (IRFU5305)

Zaawansowana technologia procesowa

Szybkie przełączanie

W pełni odporne na lawinowe przebicie

Bezołowiowy

Opis

Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier wykorzystuje

zaawansowane techniki przetwarzania w celu osiągnięcia ekstremalnie niskiej

rezystancji w stanie włączenia na jednostkę powierzchni krzemu. Ta zaleta, w połączeniu z

szybką prędkością przełączania i wytrzymałą konstrukcją urządzenia, którą

MOSFETy mocy HEXFET® są dobrze znane, zapewnia

projektantowi niezwykle wydajne i niezawodne urządzenie

do użytku w szerokiej gamie zastosowań.

Obudowa D-Pak jest przeznaczona do montażu powierzchniowego z użyciem technik

lutowania w fazie par, na podczerwień lub na fali. Wersja z prostymi wyprowadzeniami (seria IRFU) jest przeznaczona do montażu przewlekanego

Zastosowania. Poziomy mocy rozpraszanej do 1,5 W są

możliwe w typowych zastosowaniach montażu powierzchniowego.

Absolutne parametry graniczne

Rezystancja termiczna

Parametry elektryczne @ T

J = 25°C (chyba że podano inaczej)Parametry i charakterystyki źródło-dren

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Zaawansowana Technologia Procesowa

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI