logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IRFR5305TRPBF
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IRFR5305TRPBF
Nama Produk:
Chip Infineon
Suhu Operasional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
110 watt
Jenis:
SMD/SMT
Arus Tiriskan Terus Menerus:
31 A
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IRFR5305TRPBF

,

IRFR5305 Infineon Chip

,

MOSFET Teknologi Proses Canggih Pemasangan Permukaan

Deskripsi Produk

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Resistansi Rendah Ultra Pemasangan Permukaan (IRFR5305) Teknologi Proses Lanjutan


Resistansi Rendah Ultra 
Pemasangan Permukaan (IRFR5305)
Lead Lurus (IRFU5305) 
Teknologi Proses Lanjutan 
Pengalihan Cepat 
Sepenuhnya Dinilai Longsor 
Bebas Timbal

Deskripsi
HEXFET Generasi Kelima dari International Rectifier menggunakan
teknik pemrosesan lanjutan untuk mencapai sangat rendah
resistansi pada per area silikon. Manfaat ini, dikombinasikan dengan
kecepatan pengalihan cepat dan desain perangkat yang kuat yang
HEXFET® Power MOSFET dikenal, menyediakan
desainer dengan perangkat yang sangat efisien dan andal
untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.
D-Pak dirancang untuk pemasangan permukaan menggunakan uap
fase, inframerah, atau teknik penyolderan gelombang. Lead
lurus (seri IRFU) adalah untuk aplikasi pemasangan through-hole
Aplikasi. Tingkat disipasi daya hingga 1,5 watt adalah
mungkin dalam aplikasi pemasangan permukaan yang khas.

Peringkat Maksimum Absolut
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan

Resistansi Termal
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan

Karakteristik Listrik @ TJ = 25°C (kecuali dinyatakan lain)
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan

Peringkat dan Karakteristik Source-Drain
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Resistansi Sangat Rendah Teknologi Proses Canggih MOSFET Pemasangan Permukaan