logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IRFR5305TRPBF
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IRFR5305TRPBF
نام محصول:
تراشه Infineon
دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
110 وات
تایپ کنید:
SMD/SMT
جریان تخلیه مداوم:
31 الف
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IRFR5305TRPBF

,

IRFR5305 چیپ اینفینیون

,

سطح نصب فرآیند پیشرفته MOSFET

توضیحات محصول

چپ اینفینیون IRFR5305TRPBF Ultra Low On Resistance Surface Mount (IRFR5305) تکنولوژی پیشرفته فرآیند


مقاومت فوق العاده کم
نصب سطح (IRFR5305)
سرب مستقیم (IRFU5305)
تکنولوژی پیشرفته فرآیند
تغییر سریع
به طور کامل با درجه برف باری
بدون سرب

توضیحات
HEXFETs نسل پنجم از International Rectifier استفاده می کنند
تکنیک های پردازش پیشرفته برای رسیدن به بسیار کم
این مزیت در ترکیب با
سرعت سوئیچ سریع و طراحی دستگاه محکم که
HEXFET®قدرت MOSFETs به خوبی شناخته شده برای، فراهم می کند
طراح با یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد
برای استفاده در طیف گسترده ای از کاربردهای مختلف.
D-Pak براي نصب روي سطح با استفاده از بخار طراحی شده
فاز، مادون قرمز، و یا تکنیک های جوش موج.
نسخه سرب (سری IRFU) برای نصب سوراخ است
سطح تبعید قدرت تا 1.5 وات
امکان پذیر در کاربردهای معمولی نصب سطح.

حداکثر امتیازات مطلق
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند

مقاومت حرارتی
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند

مشخصات الکتریکی @ TJ= 25°C (مگر اینکه مشخص شود)
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند

رتبه بندی و ویژگی های منبع-خروجی
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On Resistance Mount IRFR5305 تکنولوژی پیشرفته فرآیند