Name: IRFR5305TRPBF インフィニオンチップ 超低オン抵抗表面実装 IRFR5305 高度なプロセス技術
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR5305TRPBF
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Infineon Chip
モデル番号:	IRFR5305TRPBF
MOQ:	2500
梱包の詳細:	2500個/リール
支払い条件:	T/T

詳細情報

製品説明

詳細情報

起源の場所:

中国

書類:

infineon-irfr5305-datasheet...en.pdf

モデル:

IRFR5305TRPBF

製品名:

インフィニオンチップ

動作温度:

-55℃～+175℃

消費電力:

110W

タイプ:

SMD/SMT

連続的な下水管の流れ:

31 A

供給の能力:

100000

ハイライト:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 インフィニオンチップ

表面実装高度なプロセス MOSFET

製品説明

インフィニオンチップ IRFR5305TRPBF 超低抵抗表面マウント (IRFR5305) 高度なプロセス技術

超低抵抗

表面マウント (IRFR5305)

直線鉛 (IRFU5305)

先進的なプロセス技術

速やかに切り替える

完全に雪崩評価

鉛のない

記述

インターナショナル・リクティファーの第5世代HEXFETは

極めて低コストの加工技術

この利点は,

快速な切り替え速度と頑丈なデバイス設計が

HEXFET®電力MOSFETはよく知られています.

設計者は非常に効率的で信頼性の高い装置で

幅広い用途で使用できます

D-Pakは蒸気を使って表面をマウントするために設計されています

線形,赤外線,または波溶接技術

リードバージョン (IRFUシリーズ) は,穴を通って設置する

電力消耗レベルは1. 5ワットまで

表面に固定する典型的な用途では可能である.

絶対最大格付け

熱耐性

電気特性 @ TJ= 25°C (別の規定がない限り)

ソース・ドランの評価と特徴

タグ:

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