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Puce Infineon

IRFR5305TRPBF Puce Infineon ultra basse résistance à la surface montée IRFR5305 Technologie de procédé avancée

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IRFR5305TRPBF Puce Infineon ultra basse résistance à la surface montée IRFR5305 Technologie de procédé avancée

Nom De La Marque:	Infineon Chip
Numéro De Modèle:	IRFR5305TRPBF
Quantité Minimale De Commande:	2500
Détails De L'emballage:	2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Documents:

modèle:

IRFR5305TRPBF

Nom du produit:

Puce Infineon

Température de fonctionnement:

- 55 °C ~ + 175 °C

Dissipation de puissance:

110 W

Taper:

CMS/CMS

Courant continu de drain:

Capacité d'approvisionnement:

100000

Mettre en évidence:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 puce Infineon

Surface mount advanced process MOSFET est un système de détection de détection

Description du produit

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Monture de surface à résistance ultra basse (IRFR5305) Technologie de processus avancée

Résistance ultra-faible

Montage à la surface (IRFR5305)

Le plomb droit (IRFU5305)

Technologie de procédé avancée

Un changement rapide

Completement classé comme avalanche

Ne contenant pas de plomb

Définition

Les HEXFET de cinquième génération de l'International Rectifier utilisent

techniques de traitement avancées pour obtenir des taux extrêmement bas

Ce bénéfice, combiné à une résistance de

la vitesse de commutation rapide et la conception robuste du dispositif qui

HEXFET®Les MOSFET de puissance sont bien connus pour, fournit

le concepteur avec un dispositif extrêmement efficace et fiable

pour une large gamme d'applications.

Le D-Pak est conçu pour être monté à la surface à la vapeur.

Les techniques de soudage par phase, infrarouge ou ondes.

La version principale (série IRFU) est destinée au montage à travers un trou.

Les niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à 1,5 watt sont

possible dans les applications typiques de montage en surface.

Notes de crédit maximales absolues

Résistance thermique

Caractéristiques électriquesJe= 25°C (sauf indication contraire)

Rating et caractéristiques de l'écoulement de la source

Balises:

PUCE LED OSRAM

Puce du Cree LED

Puces ST IC

Puces TI

Puce à LED Bridgelux

Puce Infineon

Puce LED LUMINUS

Perles de lampe de LED

Puces IC SAMSUNG

Puces microniques

Puces SK Hynix

Puce LED LumiLEDs

Puce LED SAMSUNG

Puce LED SEOUL

La puce LED NICHIA

Puces NeXperia

Puces ONsemi

Puces ADI

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