Name: IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Advanced Process Technology
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRFR5305TRPBF
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IRFR5305TRPBF
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

infineon-irfr5305-datasheet...en.pdf

modelo:

IRFR5305TRPBF

Nombre del producto:

Chip Infineon

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

110 vatios

Tipo:

SMD/SMT

Corriente continua del dren:

31 A

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 Infineon Chip

Surface Mount Advanced Process MOSFET

Descripción del Producto

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Ultra Baja Resistencia de Encendido Montaje en Superficie (IRFR5305) Tecnología de Procesamiento Avanzado

Ultra Baja Resistencia de Encendido

Montaje en Superficie (IRFR5305)

Lead Recto (IRFU5305)

Tecnología de Procesamiento Avanzado

Conmutación Rápida

Totalmente Clasificado para Avalancha

Libre de Plomo

Descripción

Los HEXFET de Quinta Generación de International Rectifier utilizan

técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con

la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que

los MOSFET de Potencia HEXFET

® son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable

para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El D-Pak está diseñado para montaje en superficie utilizando técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarrojos u onda. La versión de

lead recto (serie IRFU) es para aplicaciones de montaje en orificio pasante. Son posibles niveles de disipación de potencia de hasta 1.5 vatios

en aplicaciones típicas de montaje en superficie.

Calificaciones Máximas Absolutas

Resistencia Térmica

Características Eléctricas @ T

= 25°C (a menos que se especifique lo contrario)

Calificaciones y Características de Fuente-Drenaje

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Advanced Process Technology

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI