logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса

IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRFR5305TRPBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRFR5305TRPBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
110 Вт
Тип:
СМД/СМТ
Непрерывное течение стока:
31 a
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRFR5305TRPBF

,

IRFR5305 Infineon Чип

,

Поверхностное крепление Передовой технологический процесс MOSFET

Описание продукта

Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии IRFR5305TRPBF от Infineon Technologies, технология усовершенствованного процесса


Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии 
Поверхностный монтаж (IRFR5305) 
Вывод прямой (IRFU5305) 
Технология усовершенствованного процесса 
Быстрое переключение 
Полностью лавинообразно рассчитан 
Без свинца

Описание
Пятое поколение HEXFET от International Rectifier использует
усовершенствованные методы обработки для достижения чрезвычайно низкого
сопротивления на единицу площади кремния. Это преимущество, в сочетании с
быстрой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, для которых
HEXFET® силовые MOSFET хорошо известны, предоставляет
разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство
для использования в широком спектре применений.
D-Pak предназначен для поверхностного монтажа с использованием методов
пайки в паровой фазе, инфракрасной или волновой пайки. Версия с прямым
выводом (серия IRFU) предназначена для сквозного монтажа.
Уровни рассеиваемой мощности до 1,5 Вт возможны в типичных приложениях поверхностного монтажа.
Максимальные абсолютные характеристики

Тепловое сопротивление
IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса

Электрические характеристики при T
IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса

J = 25°C (если не указано иное)Характеристики и параметры исток-сток
IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса

IRFR5305TRPBF Infineon Чип Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Поверхностное крепление IRFR5305 Передовая технология процесса