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IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Advanced Process Technology

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IRFR5305TRPBF Infineon Chip Ultra Low On-Resistance Surface Mount IRFR5305 Advanced Process Technology

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRFR5305TRPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRFR5305TRPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

110 W

Tipo:

SMD/SMT

Corrente continua dello scolo:

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 Infineon Chip

Surface Mount Advanced Process MOSFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5305) Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Surface Mount (IRFR5305)

Straight Lead (IRFU5305)

Advanced Process Technology

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Lead-Free

Descrizione

I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano

tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza

di accensione estremamente bassa per area di silicio. Questo beneficio, combinato con

la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo che

I MOSFET di potenza HEXFET® sono ben noti per, fornisce

al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile

per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il D-Pak è progettato per il montaggio superficiale utilizzando tecniche di saldatura a

fase vapore, infrarossi o a onda. La versione con piombo dritto (serie IRFU) è per applicazioni di montaggio a foro passante.

Sono possibili livelli di dissipazione di potenza fino a 1,5 watt

in tipiche applicazioni di montaggio superficiale.

Valori Massimi Assoluti

Resistenza Termica

Caratteristiche Elettriche @ T

J = 25°C (se non diversamente specificato)Valori e Caratteristiche Source-Drain

Tag:

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