logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRFR5305TRPBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRFR5305TRPBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
110W
Kiểu:
SMD/SMT
Dòng xả liên tục:
31 A
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRFR5305TRPBF

,

IRFR5305 Infineon Chip

,

Gắn trên bề mặt Công nghệ quy trình nâng cao MOSFET

Mô tả sản phẩm

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Ultra Low On Resistance Surface Mount (IRFR5305) Công nghệ quy trình tiên tiến


Kháng cực thấp
Máy gắn bề mặt (IRFR5305)
Chất chì thẳng (IRFU5305)
Công nghệ quy trình tiên tiến
Chuyển nhanh
Đánh giá đầy đủ về tuyết rơi
Không có chì

Mô tả
HEXFET thế hệ thứ năm từ International Rectifier sử dụng
kỹ thuật chế biến tiên tiến để đạt được cực kỳ thấp
Lợi ích này, kết hợp với
tốc độ chuyển đổi nhanh và thiết kế thiết bị mạnh mẽ
HEXFET®MOSFET năng lượng được biết đến, cung cấp
nhà thiết kế với một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy
để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau.
D-Pak được thiết kế để lắp đặt bề mặt bằng hơi nước
pha, hồng ngoại, hoặc các kỹ thuật hàn sóng.
Phiên bản dẫn đầu (series IRFU) là để gắn qua lỗ
Các mức tiêu hao năng lượng lên đến 1,5 watt
có thể trong các ứng dụng gắn bề mặt điển hình.

Đánh giá tối đa tuyệt đối
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET

Kháng nhiệt
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET

Đặc điểm điện @ TJ= 25°C (trừ khi có quy định khác)
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET

Đánh giá nguồn và đặc điểm
IRFR5305TRPBF Infineon Chip Điện trở cực thấp Công nghệ quy trình nâng cao Gắn trên bề mặt IRFR5305 MOSFET