λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Τεχνολογία Προηγμένης Διεργασίας Επιφανειακής Στήριξης MOSFET

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Τεχνολογία Προηγμένης Διεργασίας Επιφανειακής Στήριξης MOSFET

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IRFR5305TRPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IRFR5305TRPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 175 °C

Διαρροή Ισχύος:

110 W

Τύπος:

SMD/SMT

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 Infineon Chip

Επιφανειακή Στήριξη Προηγμένης Διεργασίας MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRFR5305TRPBF Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Επιφανειακής Στήριξης (IRFR5305) Τεχνολογία Προηγμένης Διαδικασίας

Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On

Επιφανειακή Στήριξη (IRFR5305)

Ευθεία Καλωδίωση (IRFU5305)

Τεχνολογία Προηγμένης Διαδικασίας

Γρήγορη Μεταγωγή

Πλήρως Ονομαστική Χιονοστιβάδα

Χωρίς Μόλυβδο

Περιγραφή

Οι HEXFETs Πέμπτης Γενιάς από την International Rectifier χρησιμοποιούν

προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχουν εξαιρετικά χαμηλή

αντίσταση on ανά περιοχή πυριτίου. Αυτό το όφελος, σε συνδυασμό με

την ταχεία ταχύτητα μεταγωγής και τον στιβαρό σχεδιασμό της συσκευής που

οι HEXFET® Power MOSFETs είναι ευρέως γνωστοί, παρέχουν

στον σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή

για χρήση σε μια ευρεία ποικιλία εφαρμογών.

Το D-Pak έχει σχεδιαστεί για επιφανειακή στήριξη χρησιμοποιώντας τεχνικές συγκόλλησης με ατμούς

φάσης, υπερύθρων ή κυματοειδείς. Η έκδοση με ευθεία

καλωδίωση (σειρά IRFU) είναι για εφαρμογές στήριξης μέσω οπών. Δυνατότητες διάχυσης ισχύος έως 1,5 watt είναι

δυνατές σε τυπικές εφαρμογές επιφανειακής στήριξης.

Απόλυτα Μέγιστα Όρια

Θερμική Αντίσταση

Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ T

J = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)Όρια και Χαρακτηριστικά Πηγή-Αποχέτευση

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IRFR5305TRPBF Infineon Chip Εξαιρετικά Χαμηλή Αντίσταση On Τεχνολογία Προηγμένης Διεργασίας Επιφανειακής Στήριξης MOSFET

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI