제품 세부 정보

집 제품

인피니언 칩

IRFR5305TRPBF 인피니온 칩 Ultra Low On Resistance 표면 마운트 IRFR5305 첨단 프로세스 기술

모든 범주

고성능 LED 칩

문의하기

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

지금 접촉하세요

모든 범주

IRFR5305TRPBF 인피니온 칩 Ultra Low On Resistance 표면 마운트 IRFR5305 첨단 프로세스 기술

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IRFR5305TRPBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

IRFR5305TRPBF

인피니언 칩

작동 온도:

- 55°C ~ + 175°C

전력 소비:

SMD/SMT

연속배수 경향:

공급 능력:

100000

강조하다:

IRFR5305TRPBF

IRFR5305 인피니온 칩

표면 장착 고급 프로세스 MOSFET

제품 설명

Infineon 칩 IRFR5305TRPBF 초저 온 저항 표면 실장 (IRFR5305) 고급 공정 기술

초저 온 저항

표면 실장 (IRFR5305)

스트레이트 리드 (IRFU5305)

고급 공정 기술

고속 스위칭

완전 애벌랜치 정격

무연

설명

International Rectifier의 5세대 HEXFET은

고급 공정 기술을 사용하여 매우 낮은

실리콘 면적당 온 저항을 달성합니다. 이 장점은

고속 스위칭 속도와 견고한 장치 설계와 결합되어

HEXFET® 파워 MOSFET은 잘 알려져 있으며,

설계자에게 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공합니다.

다양한 응용 분야에 사용됩니다.

D-Pak은 증기

상, 적외선 또는 웨이브 솔더링 기술을 사용하여 표면 실장을 위해 설계되었습니다. 스트레이트

리드 버전(IRFU 시리즈)은 스루홀 실장

응용 분야에 사용됩니다. 최대 1.5와트의 전력 소산 수준은

일반적인 표면 실장 응용 분야에서 가능합니다.

절대 최대 정격

열 저항

전기적 특성 @ TJ= 25°C (별도 명시되지 않는 한)

소스-드레인 정격 및 특성

태그:

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

제품 세부 정보

IRFR5305TRPBF 인피니온 칩 Ultra Low On Resistance 표면 마운트 IRFR5305 첨단 프로세스 기술

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩

TSLC 세미레즈 LED 램프 비드

고성능 LED 칩

오스람 LED 칩

크리사람은 칩을 이끌었습니다

ST IC 칩

TI 칩

브리지룩스 LED 칩

인피니언 칩

루미너스 LED 칩

엘이디 조명등 비즈

삼성 IC 칩

마이크론 칩

SK 하이닉스 칩

LumiLEDs LED 칩

삼성 LED 칩

서울 LED 칩

니치아 LED 칩

넥스페리아 칩

반 칩

ADI 칩