logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IRFB38N20DPBF
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
Przez dziurę
Ciągły prąd spustowy:
44 A
Temperatura pracy:
-55°C ~ + 175°C
Rozpraszanie mocy:
3,8 W
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Straty przełączania MOSFET

Opis produktu

Układ Infineon IRFB38N20DPBF Niski ładunek bramka-dren w celu zmniejszenia strat przełączania 


Aplikacje
Wysokoczęstotliwościowe przetwornice DC-DC
Panel plazmowy

Korzyści
Niski ładunek bramka-dren w celu zmniejszenia strat przełączania
W pełni scharakteryzowana pojemność, w tym efektywna COSS
w celu uproszczenia projektowania (patrz notatka aplikacyjna AN1001)
W pełni scharakteryzowane napięcie i prąd lawinowy
Bez ołowiu

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

Absolutne maksymalne parametry
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

Rezystancja termiczna
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

Statyczne @ TJ= 25°C (chyba że określono inaczej)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania

Dynamiczne @ TJ= 25°C (chyba że określono inaczej)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Niskie ładunek bramki do drenu w celu zmniejszenia strat przełączania