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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IRFB38N20DPBF
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Modell:
IRFB38N20DPBF
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
Durch Loch
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
44 A
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
3.8 W
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Schaltverluste MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRFB38N20DPBF Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Verringerung von Schaltverlusten


Anwendungen
Hochfrequenz-Gleichstrom-Wandler
Plasma-Display-Panel

Vorteile
Niedrige Gebühren für die Überführung von Schleusen zu Abflüssen
Vollständig charakterisierte Kapazität einschließlich Wirkungsgrad COSS
zur Vereinfachung des Entwurfs (siehe Anlage AN1001)
Vollständig charakterisierte Lawinenspannung und -strom
Bleifrei

IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

Absolute Höchstratings
IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

Wärmewiderstand
IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

Statik @ TJ= 25°C (sofern nicht anders angegeben)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten

Dynamische @ TJ= 25°C (sofern nicht anders angegeben)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip geringe Gate-zu-Drain-Ladung zur Reduzierung von Schaltverlusten