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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
IRFB38N20DPBF
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
होल के माध्यम से
निरंतर नाली वर्तमान:
44 ए
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
3.8 डब्ल्यू
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D इन्फिनियन चिप

,

स्विचिंग लॉस MOSFET

उत्पाद वर्णन

स्विचिंग हानि को कम करने के लिए इनफिनियन चिप IRFB38N20DPBF कम गेट-टू-ड्रेन चार्ज


आवेदन
उच्च आवृत्ति डीसी-डीसी कन्वर्टर्स
प्लाज्मा डिस्प्ले पैनल

लाभ
स्विचिंग हानि को कम करने के लिए कम गेट-टू-ड्रेन चार्ज
प्रभावी C सहित पूरी तरह से वर्णित क्षमताओएसएस
डिजाइन को सरल बनाने के लिए (अनुप्रयोग नोट AN1001 देखें)
पूरी तरह से वर्णित हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान
सीसा रहित

IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

पूर्ण अधिकतम रेटिंग
IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

थर्मल प्रतिरोध
IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

स्थिर @ TJ= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए

गतिशील @ TJ= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRFB38N20DPBF इन्फिनियन चिप कम गेट से ड्रेन चार्ज स्विचिंग लॉस को कम करने के लिए