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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 제품 Created with Pixso.
인피니언 칩
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

브랜드 이름: Infineon Chip
모델 번호: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
포장 세부사항: 2500PCS/릴
지불 조건: 티/티
상세 정보
원래 장소:
중국
모델:
IRFB38N20DPBF
제품명:
인피니언 칩
유형:
구멍을 통해
연속배수 경향:
44 A
작동 온도:
- 55°C ~ + 175°C
전력 소비:
3.8W
공급 능력:
100000
강조하다:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon 칩

,

스위칭 손실 MOSFET

제품 설명

인피니온 칩 IRFB38N20DPBF 전환 손실을 줄이기 위해 낮은 게이트-드레인 충전


신청서
고주파 DC-DC 변환기
플라즈마 디스플레이 패널

이점
전환 손실을 줄이기 위해 낮은 게이트-드레인 요금
효과적 C 를 포함하여 완전히 특징화된 용량OSS
디자인 단순화 (안식 참고 AN1001 참조)
완전히 특징화 된 계곡 전압 및 전류
납 없는

IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

절대 최대 등급
IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

열 저항
IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

정적 @ TJ= 25°C (다른 사항이 없는 한)
IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소

동적 @ TJ= 25°C (다른 사항이 없는 한)
IRFB38N20DPBF Infineon 칩 낮은 게이트-드레인 전하로 스위칭 손실 감소