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detalhes dos produtos

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Chip Infineon
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IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

Marca: Infineon Chip
Número do modelo: IRFB38N20DPBF
Quantidade mínima: 2500
Detalhes da embalagem: 2500 unidades/carretel
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
modelo:
IRFB38N20DPBF
Nome do produto:
Chip Infineon
Tipo:
Através do buraco
Corrente contínua do dreno:
44 A
Temperatura operacional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipação de energia:
3.8 W
Habilidade da fonte:
100.000
Destacar:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Perdas de Comutação MOSFET

Descrição do produto

Infineon Chip IRFB38N20DPBF Baixa Carga Gate-to-Drain para Reduzir Perdas de Comutação 


Aplicações
Conversores DC-DC de alta frequência
Painel de Plasma

Benefícios
Baixa Carga Gate-to-Drain para Reduzir Perdas de Comutação
Capacitância Totalmente Caracterizada Incluindo C EfetivoOSS
para Simplificar o Projeto, (Veja Nota de Aplicação AN1001)
Tensão e Corrente de Avalanche Totalmente Caracterizadas
Livre de Chumbo

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

Classificações Máximas Absolutas
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

Resistência Térmica
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

Estático @ TJ= 25°C (a menos que especificado de outra forma)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação

Dinâmico @ TJ= 25°C (a menos que especificado de outra forma)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Baixa Carga Gate para Drain para Reduzir Perdas de Comutação