logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRFB38N20DPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
เอกสาร:
แบบอย่าง:
IRFB38N20DPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
ผ่านรู
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
44 ก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
3.8 วัตต์
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRFB38N20DPBF

,

ชิป Infineon IRFB38N20D

,

การเปลี่ยนความสูญเสีย MOSFET

รายละเอียดสินค้า

ชิป Infineon IRFB38N20DPBF ค่า Gate-to-Drain ต่ํา เพื่อลดการเสียการเปลี่ยน


การใช้งาน
เครื่องแปลงความถี่สูง DC-DC
แผ่นแสดงผลพลาสมา

ประโยชน์
ค่าบริการ Gate-to-Drain ที่ต่ํา เพื่อลดความสูญเสียในการเปลี่ยน
ความจุครบถ้วน รวมถึง C ที่มีประสิทธิภาพOSS
เพื่อทําให้การออกแบบเรียบง่าย (ดู App. Note AN1001)
ความกระชับกําลังและกระแสไฟฟ้าของหินหินหินที่ระบุได้อย่างสมบูรณ์
ไม่นํา

IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

อัตราการเรตติ้งสูงสุด
IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ความต้านทานความร้อน
IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

Static @ TJ= 25°C (ยกเว้นที่ระบุต่างหาก)
IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน

ดินามิก @ TJ= 25°C (ยกเว้นที่ระบุต่างหาก)
IRFB38N20DPBF ชิป Infineon ประตูต่ําเพื่อระบายการชาร์จเพื่อลดการสูญเสียการเปลี่ยน