logo
Goede prijs  Online

details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
Infineon-chip
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

Merknaam: Infineon Chip
Modelnummer: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
Verpakkingsdetails: 2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden: T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
China
model:
IRFB38N20DPBF
Productnaam:
Infineon-chip
Type:
Door gat
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
44 A
Bedrijfstemperatuur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Vermogensdissipatie:
3.8 W
Levering vermogen:
100000
Markeren:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Schakelverliezen MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRFB38N20DPBF Lage Gate-naar-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen 


Toepassingen
Hoogfrequente DC-DC-converters
Plasma Display Panel

Voordelen
Lage Gate-naar-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen
Volledig Gekarakteriseerde Capaciteit Inclusief Effectieve COSS
om Ontwerp te Vereenvoudigen, (Zie App. Note AN1001)
Volledig Gekarakteriseerde Lawinespanning en Stroom
Loodvrij

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

Absolute Maximale Beoordelingen
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

Thermische Weerstand
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

Statisch @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen

Dynamisch @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Lage Gate-Drain-lading om schakelverliezen te verminderen