logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRFB38N20DPBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
Qua lỗ
Dòng xả liên tục:
44 A
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
3,8 W
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Tổn thất chuyển mạch MOSFET

Mô tả sản phẩm

Chip Infineon IRFB38N20DPBF Điện tích cổng-cổng thoát thấp để giảm tổn thất chuyển mạch 


Ứng dụng
Bộ chuyển đổi DC-DC tần số cao
Màn hình Plasma

Lợi ích
Điện tích cổng-cổng thoát thấp để giảm tổn thất chuyển mạch
Điện dung được đặc trưng đầy đủ bao gồm C hiệu dụngOSS
để đơn giản hóa thiết kế, (Xem Ghi chú ứng dụng AN1001)
Điện áp và dòng điện Avalanche được đặc trưng đầy đủ
Không chì

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

Xếp hạng Tối đa Tuyệt đối
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

Điện trở nhiệt
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

Tĩnh @ TJ= 25°C (trừ khi có quy định khác)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch

Động @ TJ= 25°C (trừ khi có quy định khác)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Điện tích cổng đến cống thấp để giảm tổn thất chuyển mạch