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インフィニオンチップ
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IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

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IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減
  • 名前

IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
infineon_irfs38n20d_ds_en.pdf
モデル:
IRFB38N20DPBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
44 A
動作温度:
-55℃～+175℃
消費電力:
3.8W
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

スイッチング損失 MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRFB38N20DPBF 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減 


アプリケーション
高周波DC-DCコンバータ
プラズマディスプレイパネル

利点
低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減
効果的なCを含む完全に特性評価された静電容量OSS
設計を簡素化するため（応用ノートAN1001を参照）
完全に特性評価されたアバランシェ電圧と電流
鉛フリー

IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

絶対最大定格
IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

熱抵抗
IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

静的 @ TJ= 25℃（特に指定がない限り）
IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減

動的 @ TJ= 25℃（特に指定がない限り）
IRFB38N20DPBF Infineon Chip 低ゲート・ドレイン電荷でスイッチング損失を低減
タグ: 

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