logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه Infineon
Created with Pixso.

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

نام تجاری: Infineon Chip
شماره مدل: IRFB38N20DPBF
MOQ: 2500
جزئیات بسته بندی: 2500 PCS / قرقره
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
مدل:
IRFB38N20DPBF
نام محصول:
تراشه Infineon
تایپ کنید:
از طریق سوراخ
جریان تخلیه مداوم:
44 الف
دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد ~ + 175 درجه سانتیگراد
اتلاف نیرو:
3.8 وات
قابلیت ارائه:
100000
برجسته کردن:

IRFB38N20DPBF

,

IRFB38N20D Infineon Chip

,

Switching Losses MOSFET

توضیحات محصول

تراشه Infineon IRFB38N20DPBF با بار گیت به درین کم برای کاهش تلفات سوئیچینگ 


کاربردها
مبدل‌های DC-DC فرکانس بالا
پنل نمایش پلاسما

مزایا
بار گیت به درین کم برای کاهش تلفات سوئیچینگ
ظرفیت خازنی کاملاً مشخص شده شامل C مؤثرOSS
برای ساده‌سازی طراحی، (به یادداشت کاربردی AN1001 مراجعه کنید)
ولتاژ و جریان بهمنی کاملاً مشخص شده
بدون سرب

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

حداکثر درجه‌بندی مطلق
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

مقاومت حرارتی
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

استاتیک @ TJ= 25°C (مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses

دینامیک @ TJ= 25°C (مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)
IRFB38N20DPBF Infineon Chip Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses