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Detalles de los productos

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Chip Infineon
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IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los Estad
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
China
modelo:
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los Estad
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
A través del agujero
Corriente continua del dren:
44 A
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ +175°C
Disipación de energía:
3.8 W
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los Estados miembros

,

El chip IRFB38N20D de Infineon

,

MOSFET de pérdidas de cambio

Descripción del Producto

Infineon Chip IRFB38N20DPBF Baja Carga de Puerta a Drenaje para Reducir Pérdidas de Conmutación 


Aplicaciones
Convertidores DC-DC de alta frecuencia
Panel de visualización de plasma

Beneficios
Baja Carga de Puerta a Drenaje para Reducir Pérdidas de Conmutación
Capacitancia Completamente Caracterizada Incluyendo C EfectivaOSS
para Simplificar el Diseño, (Ver Nota de Aplicación AN1001)
Voltaje y Corriente de Avalancha Completamente Caracterizados
Libre de Plomo

IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

Calificaciones Máximas Absolutas
IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

Resistencia Térmica
IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

Estática @ TJ= 25°C (a menos que se especifique lo contrario)
IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación

Dinámica @ TJ= 25°C (a menos que se especifique lo contrario)
IRFB38N20DPBF Chip Infineon Puerta baja para drenar la carga para reducir las pérdidas de conmutación