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IRFB38N20DPBF Infineon Chip Bassa Carica Gate-Drain per Ridurre le Perdite di Commutazione

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IRFB38N20DPBF Infineon Chip Bassa Carica Gate-Drain per Ridurre le Perdite di Commutazione

Marchio:	Infineon Chip
Numero di modello:	IRFB38N20DPBF
MOQ:	2500
Dettagli dell'imballaggio:	2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Documento:

modello:

IRFB38N20DPBF

Nome del prodotto:

Chip Infineon

Tipo:

Attraverso il buco

Corrente continua dello scolo:

Temperatura operativa:

-55°C~+175°C

Dissipazione di potenza:

3.8 W

Capacità di alimentazione:

100000

Evidenziare:

IRFB38N20DPBF

IRFB38N20D Infineon Chip

Perdite di Commutazione MOSFET

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRFB38N20DPBF Bassa Carica Gate-to-Drain per Ridurre le Perdite di Commutazione

Applicazioni

Convertitori DC-DC ad alta frequenza

Pannello a Plasma

Benefici

Bassa Carica Gate-to-Drain per Ridurre le Perdite di Commutazione

Capacità completamente caratterizzata inclusa C efficaceOSS

per Semplificare la Progettazione, (Vedi App. Nota AN1001)

Tensione e Corrente di Valanga completamente caratterizzate

Senza Piombo

Valori Massimi Assoluti

Resistenza Termica

Statico @ TJ= 25°C (se non diversamente specificato)

Dinamico @ TJ= 25°C (se non diversamente specificato)

Tag:

mosfet di potenza infineon

chip infineon

controller pfc infineon

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