logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Chip Infineona
Created with Pixso.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię

Nazwa marki: Infineon Chip
Numer modelu: IRF7404TRPBF
MOQ: 2500
Szczegóły opakowania: 2500 sztuk / rolka
Warunki płatności: T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Chiny
model:
IRF7404TRPBF
Nazwa produktu:
Chip Infineona
Typ:
SMD/SMT
Ciągły prąd spustowy:
6,7 A
Temperatura pracy:
- 55°C ~ + 150°C
Rozpraszanie mocy:
2,5 W
Możliwość Supply:
100 000
Podkreślić:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

HEXFET na powierzchni MOSFET

Opis produktu

Układ Infineon IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET o bardzo niskiej rezystancji włączenia, do montażu powierzchniowego


HEXFET® Power MOSFET o bardzo niskiej rezystancji włączenia, do montażu powierzchniowego


Technologia Generation V

Bardzo niska rezystancja włączenia
Tranzystor MOSFET P-kanałowy
Montaż powierzchniowy
Dostępny w taśmie i rolce
Dynamiczne znamionowe dv/dt
Szybkie przełączanie
Bez ołowiu


Opis
Piąta generacja HEXFET firmy International Rectifier wykorzystuje zaawansowane techniki przetwarzania, aby osiągnąć najniższą możliwą rezystancję włączenia na jednostkę powierzchni krzemu. Ta zaleta, w połączeniu z dużą szybkością przełączania i wytrzymałą konstrukcją urządzenia, z których znane są tranzystory HEXFET Power MOSFET, zapewnia projektantowi niezwykle wydajne urządzenie do stosowania w szerokiej gamie zastosowań.
Obudowa SO-8 została zmodyfikowana poprzez niestandardową ramkę wyprowadzeń w celu poprawy charakterystyk termicznych i możliwości zastosowania wielu układów scalonych, co czyni ją idealną w różnych zastosowaniach mocy. Dzięki tym ulepszeniom, wiele urządzeń może być używanych w aplikacji ze znacznie zmniejszoną przestrzenią na płytce drukowanej. Obudowa jest przeznaczona do technik lutowania w fazie parowania, na podczerwień lub falą. Rozpraszanie mocy większe niż 0,8 W jest możliwe w typowej aplikacji z montażem na płytce drukowanej.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię

Absolutne maksymalne parametry
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię
Parametry rezystancji termicznej
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię

Parametry elektryczne @ Tj = 25°C (chyba że określono inaczej)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET Ultra niskiej odporności na powierzchnię