logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRF7404TRPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRF7404TRPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
6.7 ก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 150 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
2.5 ว
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

HEXFET MOSFET แบบติดตั้งบนพื้นผิว

รายละเอียดสินค้า

Infineon Chip IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount


HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Surface Mount


เทคโนโลยี Generation V

ความต้านทานต่ำพิเศษเมื่อเปิด
P-Channel Mosfet
Surface Mount
มีจำหน่ายในรูปแบบ Tape & Reel
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
ปราศจากสารตะกั่ว


คำอธิบาย
HEXFETs รุ่นที่ห้าจาก International Rectifier ใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้ได้ค่าความต้านทานต่ำสุดต่อพื้นที่ซิลิคอน ประโยชน์นี้รวมกับความเร็วในการสวิตช์ที่รวดเร็วและการออกแบบอุปกรณ์ที่ทนทานซึ่ง HEXFET Power MOSFETs เป็นที่รู้จักกันดี ทำให้ผู้ออกแบบมีอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย
SO-8 ได้รับการปรับปรุงผ่าน leadframe ที่ปรับแต่งเองเพื่อเพิ่มคุณสมบัติทางความร้อนและความสามารถในการรองรับหลายไดรฟ์ ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานด้านพลังงานที่หลากหลาย ด้วยการปรับปรุงเหล่านี้ สามารถใช้อุปกรณ์หลายตัวในการใช้งานโดยลดพื้นที่บอร์ดลงอย่างมาก แพ็คเกจนี้ออกแบบมาสำหรับเทคนิคการบัดกรีแบบ vapor phase, infra red หรือ wave soldering การกระจายพลังงานมากกว่า 0.8W สามารถทำได้ในการใช้งาน PCB mount ทั่วไป

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว

Absolute Maximum Ratings
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว
Thermal Resistance Ratings
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว

Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (เว้นแต่จะระบุไว้)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET ความต้านทานต่ำพิเศษแบบติดตั้งบนพื้นผิว