logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRF7404TRPBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRF7404TRPBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
СМД/СМТ
Непрерывное течение стока:
6.7 А
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 150°С
Рассеяние мощности:
2,5 w
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRF7404TRPBF

,

IRF7404 Infineon HEXFET MOSFET

,

HEXFET MOSFET для поверхностного монтажа

Описание продукта

Чип Infineon IRF7404TRPBF HEXFET® Power MOSFET с ультранизким сопротивлением в открытом состоянии для поверхностного монтажа


HEXFET® Power MOSFET с ультранизким сопротивлением в открытом состоянии для поверхностного монтажа


Технология Generation V

Ультранизкое сопротивление в открытом состоянии
P-канальный MOSFET
Поверхностный монтаж
Доступно в ленте и катушке
Динамический рейтинг dv/dt
Быстрое переключение
Без свинца


Описание
Пятая серия HEXFET от International Rectifier использует передовые методы обработки для достижения наименьшего возможного сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны Power MOSFET HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное устройство для использования в широком спектре приложений.
Корпус SO-8 был модифицирован с использованием индивидуального вывода для улучшения тепловых характеристик и возможности использования нескольких кристаллов, что делает его идеальным для различных силовых приложений. Благодаря этим улучшениям, несколько устройств могут использоваться в одном приложении со значительно уменьшенным пространством на плате. Корпус предназначен для пайки в паровой фазе, инфракрасном излучении или волновой пайке. Рассеиваемая мощность более 0,8 Вт возможна в типичном приложении с монтажом на печатной плате.

IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа

Абсолютные максимальные рейтинги
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа
Рейтинги теплового сопротивления
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа

Электрические характеристики при Tj = 25°C (если не указано иное)
IRF7404TRPBF Infineon HEXFET MOSFET сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии для поверхностного монтажа